RM15TA-H是一款由Rohm Semiconductor(罗姆半导体)生产的表面贴装整流二极管,属于肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode, SBD)系列。该器件采用先进的平面技术制造,专为在高频率开关电源、DC-DC转换器以及低电压高电流应用中提供高效能整流功能而设计。由于其肖特基结构的特性,RM15TA-H具有较低的正向导通压降(VF),通常在0.45V至0.6V之间(具体取决于工作电流和温度条件),这显著降低了导通损耗,提高了整体电源转换效率。此外,该二极管具备快速反向恢复时间(trr),几乎可以忽略不计,使其非常适合高频开关环境,避免了传统PN结二极管在高频下因反向恢复电荷引起的能量损耗和电磁干扰问题。RM15TA-H的额定平均整流电流为1A,最大重复峰值反向电压为15V,适用于低压直流电路中的整流与续流保护。其封装形式为SOD-123FL,是一种小型化、薄型化的表面贴装封装,适合高密度PCB布局,广泛应用于便携式电子设备、消费类电子产品、通信设备及电源管理系统中。
型号:RM15TA-H
制造商:Rohm Semiconductor
器件类型:肖特基势垒二极管
封装/包装:SOD-123FL
极性:单路(Single)
最大重复峰值反向电压(VRRM):15V
最大直流阻断电压(VR):15V
平均整流电流(IO):1A
正向压降(VF):最大600mV(在IF=1A, TJ=25°C条件下)
非重复峰值正向浪涌电流(IFSM):30A(8.3ms单半正弦波)
反向漏电流(IR):最大100μA(在VR=15V, TJ=25°C)
反向恢复时间(trr):典型值≤10ns
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C
RM15TA-H的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构,这种结构通过金属-半导体接触形成势垒,而非传统的P-N结,因此具备更低的正向导通电压和极快的开关响应速度。在实际应用中,尤其是在电池供电的便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中,电源效率至关重要,RM15TA-H的低VF特性能够显著减少功率损耗,延长电池续航时间。同时,由于其反向恢复时间极短,几乎不存在反向恢复电荷(Qrr),这不仅提升了开关电源的工作频率上限,还有效减少了开关过程中的尖峰电压和电磁干扰(EMI),有助于简化滤波电路设计并提升系统稳定性。
该器件的SOD-123FL封装具有较小的体积(典型尺寸约为2.0mm x 1.25mm x 1.0mm),支持自动化贴片生产,符合现代电子产品小型化和轻薄化的发展趋势。其热性能经过优化,在1A持续电流下仍能保持良好的散热能力,结合高达+150°C的最大结温,确保在高温环境下长期稳定运行。此外,RM15TA-H具备良好的抗浪涌能力,可承受高达30A的非重复浪涌电流,增强了在瞬态负载或启动过程中的可靠性。所有电气参数均在严格的质量控制流程下测试,符合RoHS环保标准和无卤素要求,适用于工业级和消费级多种应用场景。产品在生产过程中遵循AEC-Q101等车规级可靠性标准的部分测试项目,虽非正式车规型号,但在汽车电子辅助电源系统中也有广泛应用案例。
RM15TA-H因其优异的电气性能和紧凑的封装形式,广泛应用于各类需要高效、高频整流的电子系统中。常见应用包括便携式消费类电子产品的DC-DC转换器,例如用于手机、笔记本电脑和平板电脑中的降压(Buck)或升压(Boost)电源模块,作为续流二极管或输出整流元件,有效提升转换效率并降低发热。在电源适配器、USB充电器和LED驱动电源中,该器件可用于次级侧整流,替代传统快恢复二极管以实现更高的能效等级。此外,在太阳能充电控制器、电池管理系统(BMS)和低电压逆变器中,RM15TA-H也常被用作防反接或能量回馈路径的保护元件。
在通信设备领域,如路由器、交换机和基站模块中,RM15TA-H适用于多路低压电源轨的整流与隔离。其快速响应特性使其能够在瞬态负载变化时迅速导通,防止电压跌落,保障系统稳定运行。在汽车电子中,尽管该型号未明确标称为AEC-Q101认证产品,但仍被广泛用于车载信息娱乐系统、仪表盘电源、LED照明驱动等对空间和效率要求较高的子系统中。此外,工业控制设备、传感器模块和物联网(IoT)终端设备也普遍采用RM15TA-H来实现高效的电源管理。其高可靠性与宽温度适应性使其能够在恶劣环境中长期服役,满足工业级应用的需求。
RB156V-40TR