RM140N150T2是一款由瑞萨电子(Renesas Electronics)生产的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)功率半导体器件,主要用于高功率应用,如工业电机驱动、逆变器、电能转换系统等。该器件具有高电流容量和耐压能力,能够有效处理高功率负载,同时保持较低的开关损耗和导通压降,从而提高系统效率和可靠性。
类型:IGBT模块
最大集电极-发射极电压(VCES):1500V
最大集电极电流(IC):140A
短路耐受能力:10μs@150°C
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:双列直插式封装(DIP)
最大耗散功率(PD):350W
输入电容(Cies):约4500pF
输出电容(Coes):约1500pF
反向传输电容(Cres):约500pF
栅极阈值电压(VGE(th)):约5.5V至6.5V
导通压降(VCE(sat)):约2.1V(典型值)
短路电流(ICSC):约280A
RM140N150T2 IGBT模块具有多项先进的设计和技术特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,它具备高耐压能力,最大集电极-发射极电压可达1500V,适用于高压系统。其次,其最大集电极电流为140A,能够承受较大的负载电流,适用于高功率电机驱动和电源转换设备。此外,该器件具有较强的短路耐受能力,在150°C工作温度下可承受10μs的短路电流,提高了系统的可靠性和稳定性。RM140N150T2采用了先进的沟槽栅结构和场截止技术,降低了导通压降和开关损耗,从而提升了整体效率。其栅极阈值电压在5.5V至6.5V之间,确保了良好的驱动兼容性和稳定性。该模块的封装形式为双列直插式封装(DIP),便于安装和散热,同时具备良好的机械强度和热稳定性。此外,RM140N150T2还具备较低的电磁干扰(EMI)特性,有助于减少系统噪声和干扰,提高整体性能。
RM140N150T2 IGBT模块广泛应用于多个高功率电子系统中,如工业变频器、伺服驱动器、不间断电源(UPS)、电焊机、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备等。在工业电机驱动中,RM140N150T2可用于构建高性能的三相逆变器,实现对电机的高效控制。在太阳能逆变器系统中,该器件可用于将光伏板产生的直流电转换为交流电并馈入电网,其高效率和低损耗特性有助于提升系统的整体转换效率。在电动汽车充电设备中,RM140N150T2可用于构建高功率DC-AC或AC-DC转换器,满足快速充电的需求。此外,在电焊机和感应加热设备中,该IGBT模块可以实现精确的电流控制和高效率的能量转换。其高可靠性和短路保护能力也使其在需要高安全性和稳定性的应用中表现出色。
SKM140GB12T4, FF140R12KS4, IRGP50B60PD1