RM04JTN0 时间：2025/9/12 12:01:01 阅读：5

RM04JTN0 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于高效率电源转换和功率控制应用，例如 DC-DC 转换器、电池管理系统、电机驱动以及开关电源等。RM04JTN0 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力，适用于高功率密度设计。其封装形式通常为 TO-252（DPAK），便于散热和安装。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：40V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：120A（在 Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 4.0mΩ（在 Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55℃ 至 150℃
　　封装：TO-252（DPAK）

特性

RM04JTN0 的核心优势在于其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在大电流应用中可以显著降低功率损耗，提高系统效率。此外，该器件采用了先进的沟槽结构设计，优化了载流子流动路径，从而提高了器件的导通性能和热稳定性。
　　该 MOSFET 具有良好的热性能，TO-252 封装提供了良好的散热能力，使得器件在高负载条件下仍能保持较低的温度。此外，RM04JTN0 还具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在突发过电压情况下提供一定程度的保护，增强系统的可靠性。
　　其栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 20V 的栅极驱动电压，适用于多种驱动电路设计。在同步整流和高效 DC-DC 转换器中表现尤为出色，能够显著降低导通损耗，提高整体转换效率。
　　另外，RM04JTN0 在制造过程中采用了 RoHS 环保标准，符合无铅和环保要求，适用于各种工业和汽车电子应用。

应用

RM04JTN0 广泛应用于各种高功率密度和高效率电源系统中，如 DC-DC 转换器、电池管理系统、电机控制器、负载开关、电源管理模块以及工业自动化设备中的功率开关电路。
　　在服务器电源、通信电源、汽车电子系统（如车载充电器和 DC-DC 转换器）、太阳能逆变器以及便携式电子设备的电源管理中，RM04JTN0 都能发挥出色的性能。由于其高电流能力和低导通电阻，特别适用于需要高效率和高可靠性的应用场景。