型号：RLZTE-1139B
　　封装类型：SOD-523
　　齐纳电压（Vz）：3.9V @ Iz = 5mA
　　容差：±2%
　　最大耗散功率：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　反向电流（Ir）：≤ 1μA @ VR = 1V
　　动态阻抗（Zzt）：≤ 40Ω @ Iz = 5mA
　　温度系数：+8mV/°C（典型值）
　　测试电流（Iz）：5mA

RLZTE-1139B齐纳二极管的核心特性之一是其高电压精度与稳定性。在额定测试电流5mA下，其标称齐纳电压为3.9V，容差控制在±2%以内，确保了在精密模拟电路中作为参考电压源时的高度一致性。这种精度水平使其适用于ADC基准、传感器偏置电路和低电压检测等对电压敏感的应用。该器件采用先进的硅扩散工艺制造，结合优化的结结构设计，有效降低了电压漂移和热效应带来的误差。其温度系数约为+8mV/°C，在整个工作温度范围内表现出良好的线性关系，便于进行温度补偿设计。
　　另一个显著特点是其优异的动态阻抗表现，典型值低于40Ω，这意味着即使负载电流发生小幅波动，输出电压仍能维持相对稳定，从而提升系统的抗干扰能力和电源抑制比。这对于噪声敏感的音频电路或射频前端模块尤为重要。同时，由于其反向漏电流极低（在1V反向电压下不超过1μA），在待机或低功耗模式下几乎不消耗额外能量，适合电池供电设备使用。
　　SOD-523封装不仅体积小巧（约1.6mm × 1.2mm × 0.9mm），而且具有良好的热传导性能和机械强度，支持自动化贴片生产，提高了PCB布局的灵活性和组装效率。该器件符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q101车规级可靠性认证，可在高温、高湿及振动环境中长期稳定运行。此外，RLZTE-1139B具备快速响应能力，能在瞬态电压突变时迅速导通并钳位电压，起到一定的过压保护作用，常用于ESD防护电路或电源轨箝位设计中。

RLZTE-1139B广泛应用于各类需要稳定电压参考的小型化电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源监控电路，如智能手机和平板电脑的电池电压检测模块，利用其精确的3.9V齐纳电压作为比较器的参考电平，实现电量分级提示或低电压报警功能。在工业传感系统中，该器件可用于为压力、温度或湿度传感器提供偏置电压，确保信号采集的准确性与一致性。此外，在嵌入式微控制器单元（MCU）的复位电路设计中，RLZTE-1139B可配合电阻分压网络构成简单的电压监测器，当供电电压低于设定阈值时触发复位信号，防止系统因欠压运行而出现异常。
　　在通信设备中，该齐纳二极管常被用作接口电平箝位元件，保护后续电路免受瞬态高压或静电放电（ESD）损伤。例如，在USB数据线或GPIO引脚上串联限流电阻后并联RLZTE-1139B，可将电压限制在安全范围内，避免芯片输入级受损。在汽车电子领域，尽管其非专用车规型号，但由于其宽温特性和高可靠性，仍可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统的辅助稳压电路中。
　　此外，RLZTE-1139B也适用于模拟电路中的基准源设计，特别是在运算放大器的偏置电路或差分放大器的共模电压设置中发挥重要作用。其低噪声特性和稳定的电压输出有助于减少信号失真，提升整体系统性能。在LED驱动电路中，它还可作为反馈回路的电压采样点，实现恒流控制。总之，凭借其小尺寸、高精度和高可靠性，RLZTE-1139B成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。

MMSZ5228B
　　DFRP3.9C
　　BZT52C3V9