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RLZTE-1127D 发布时间 时间:2025/5/9 10:35:09 查看 阅读:10

RLZTE-1127D是一种高性能的双极性晶体管(BJT),主要用于高频放大和开关应用。该晶体管具有低噪声、高增益和良好的线性度,适用于通信设备、射频模块以及其他需要高性能信号处理的场景。
  RLZTE-1127D采用SOT-23封装形式,这种小型化设计使其非常适合对空间要求较高的电路板布局。此外,其工作频率范围较宽,能够满足多种复杂的电子电路需求。

参数

类型:NPN
  集电极最大电流:0.15A
  集电极大功率耗散:350mW
  集电极-发射极电压:30V
  发射极-基极电压:6V
  直流电流增益hFE(最小值):100
  特征频率fT:1GHz
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

RLZTE-1127D具备以下关键特性:
  1. 高增益性能,保证了在弱信号放大中的可靠性。
  2. 特征频率高达1GHz,支持高频应用场景。
  3. SOT-23小尺寸封装,简化了PCB设计并节省了空间。
  4. 宽泛的工作温度范围,适应各种环境条件下的使用需求。
  5. 具有较低的噪声系数,适合于射频和无线通信系统中对信噪比要求较高的场合。

应用

RLZTE-1127D广泛应用于以下领域:
  1. 射频和音频放大器电路。
  2. 高速开关电路设计。
  3. 无线通信模块中的信号调节。
  4. 消费类电子产品,如智能手机、平板电脑等内部的小型放大电路。
  5. 工业自动化控制设备中的高频信号处理部分。

替代型号

RLZTE-1128D
  RLZTA-1127D
  MRF1127D

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RLZTE-1127D参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)25.6V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电200nA @ 21V
  • 容差±3%
  • 功率 - 最大500mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)45 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOD-80C
  • 供应商设备封装LLDS
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-