时间：2025/11/8 10:22:43
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RLZTE-1115C 是由罗姆半导体（ROHM Semiconductor）生产的一款贴片稳压二极管（Zener Diode），属于 RLZTE 系列，采用小型 SOD-523 封装。该器件主要用于低功率应用中的电压参考和电压钳位功能。其标称齐纳电压为 15V，在规定的测试电流下能够提供稳定的击穿电压，适用于便携式电子设备、电源管理电路、信号调理电路等需要精确电压基准的场合。RLZTE-1115C 具有低功耗、小尺寸、响应速度快等特点，适合高密度贴装的现代电子产品设计。该系列二极管具有良好的温度稳定性和长期可靠性，符合 RoHS 指令要求，并通过了无卤素认证，适用于环保型电子产品制造。由于其封装尺寸小（SOD-523），在 PCB 布局中占用空间极少，广泛应用于智能手机、平板电脑、物联网设备、传感器模块及各种消费类电子设备中。
这款稳压二极管的工作原理基于 PN 结的反向击穿特性，在反向电压达到其齐纳电压时进入导通状态，维持一个相对恒定的电压降，从而实现稳压功能。RLZTE-1115C 的最大齐纳阻抗较低，有助于提高电压调节精度，同时其动态电阻小，能够在负载变化时快速响应，保持输出电压稳定。此外，该器件具有较高的浪涌耐受能力，可在瞬态过压条件下提供一定保护作用，常与其他保护器件配合使用以增强系统安全性。
类型：齐纳二极管
封装：SOD-523
齐纳电压（Vz）：15V @ Iz = 5mA
容差：±5%
最大耗散功率（Ptot）：200mW
最大齐纳电流（Iz max）：50mA
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
热阻（Rth）：625°C/W（结到环境）
反向漏电流（Ir）：≤ 1μA @ VR = 12V
RLZTE-1115C 作为一款高性能表面贴装齐纳二极管，具备出色的电压稳定性和温度特性，特别适用于需要高精度电压参考的小功率电路设计。其核心优势在于采用先进的芯片制造工艺，使得齐纳击穿电压具有高度一致性与重复性，±5% 的电压容差确保在批量应用中仍能保持良好的匹配性。该器件在 5mA 测试电流下的标称齐纳电压为 15V，且在此工作点附近具有较陡峭的反向击穿曲线，意味着即使输入电流发生微小波动，输出电压也能保持基本不变，显著提升了系统的稳定性。此外，其低动态阻抗（Zzt）进一步优化了电压调节性能，有效抑制因负载突变引起的电压漂移问题，使电路运行更加可靠。
该二极管采用 SOD-523 超小型塑料封装，外形紧凑，典型尺寸仅为 1.6mm × 0.8mm × 0.8mm，非常适合用于空间受限的便携式设备。封装材料具有优异的耐热性和机械强度，支持回流焊和波峰焊等多种贴片工艺，适应现代自动化生产线的需求。RLZTE-1115C 还具备良好的热稳定性，其电压温度系数经过优化，在宽温度范围内（-55°C 至 +150°C）表现出较小的电压漂移，适用于工业级和汽车级电子设备。另外，该器件的最大功耗为 200mW，在正常工作条件下温升可控，结合其高达 625°C/W 的热阻参数，设计人员可通过合理布局实现有效的散热管理。
从可靠性角度看，RLZTE-1115C 经过严格的筛选和老化测试，具备长寿命和高抗干扰能力。其反向漏电流极低（≤1μA @ VR=12V），在待机或低功耗模式下几乎不产生额外能耗，有利于提升整体能效。该器件还具备一定的瞬态过压承受能力，可在短时浪涌条件下维持功能完整性，常用于 ESD 防护辅助电路或信号线钳位保护。综合来看，RLZTE-1115C 凭借其高精度、小体积、低功耗和高可靠性，成为众多精密模拟电路和数字接口电路中不可或缺的关键元件。
RLZTE-1115C 广泛应用于各类需要稳定电压参考或过压保护的电子电路中。常见用途包括：作为运算放大器、ADC/DAC 转换器等模拟电路中的基准电压源，提供精确的偏置点；在电源监控电路中用作电压检测节点，配合比较器实现欠压或过压报警功能；在 I/O 接口电路（如 USB、GPIO、通信总线）中作为瞬态电压抑制元件，防止静电放电（ESD）或感应电压对敏感芯片造成损坏；也可用于 LED 驱动电路中的限压保护，避免驱动电流异常升高导致器件烧毁。
由于其小型化封装和低功耗特性，该器件特别适合应用于移动设备，例如智能手机、可穿戴设备和无线传感器网络节点，在这些产品中不仅节省 PCB 面积，还能满足节能设计需求。此外，它也常用于电池管理系统（BMS）、智能家居控制模块、工业传感器信号调理电路以及汽车电子中的辅助电源监测单元。在嵌入式系统中，RLZTE-1115C 可用于复位电路的电压检测部分，确保微控制器在供电不稳定时能够正确复位。总之，凡是在小功率、高精度、高集成度场景下需要电压钳位或参考电压的地方，RLZTE-1115C 都是一个理想选择。
BZT52C15
