类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　漏极电流（Id）：4.6A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：52mΩ @ Vgs=4.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-723

RLST3Q052V 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。
　　其 20V 的漏源击穿电压使其适用于低压电源管理系统，例如移动设备和便携式电子产品中的电源管理模块。
　　该器件支持高达 4.6A 的连续漏极电流，具备较强的负载能力，同时具备良好的热稳定性和抗过载能力。
　　RLST3Q052V 采用 SOT-723 小型封装，适合空间受限的设计，同时具备优良的散热性能。
　　此外，该 MOSFET 具有快速开关特性，适合高频操作，从而减小外围电感和电容的尺寸，提高系统集成度。
　　ROHM 在该器件中应用了先进的工艺技术，确保了良好的产品一致性与长期可靠性，适用于工业和消费类应用。
　　该器件符合 RoHS 标准，支持环保设计，适用于无铅焊接工艺。

RLST3Q052V 广泛应用于各类电子设备中的功率管理电路。
　　在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该器件常用于 DC-DC 转换器、负载开关和电池充电管理电路。
　　在工业控制系统中，它可用于低电压电机驱动器、传感器电源调节模块和嵌入式系统的电源管理单元。
　　此外，该 MOSFET 还适用于 USB PD 和无线充电等新兴应用，因其具备良好的开关性能和低导通损耗。
　　由于其小型封装和高性能特性，RLST3Q052V 也常用于物联网设备、智能家居控制器和无人机等新兴领域的电源系统中。

RST3Q052V, 2N7002K, 2N7002E, Si2302DS