时间：2025/6/17 14:16:47
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RLST236A054LV 是一款由 Rohm 生产的低导通电阻、小型化 N 沟道逻辑 级 MOSFET。它采用 USP-6B 封装形式，特别适用于需要高效开关和紧凑设计的应用场景。
该器件通过优化的结构设计实现了极低的导通电阻（Rds(on)），从而能够显著降低功率损耗并提高系统效率。RLST236A054LV 通常用于便携式设备中的电源管理电路以及负载切换等场合。
最大栅源电压：±20V
漏极电流（Id）：8.7A
击穿电压（Vdss）：30V
导通电阻（Rds(on)）：4.2mΩ（典型值，在 Vgs=10V 条件下）
栅极电荷（Qg）：7nC（最大值）
功耗：1.1W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
RLST236A054LV 具有以下特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗，提升效率。
2. 高速开关能力，得益于其较低的栅极电荷 (Qg)，使得它可以快速响应输入信号。
3. 采用了先进的封装技术，USP-6B 封装具有较小的外形尺寸，非常适合空间受限的设计。
4. 支持宽泛的工作温度范围，能够在极端环境下稳定运行。
5. 高可靠性，符合 RoHS 标准，确保环保与安全使用。
RLST236A054LV 主要应用于以下领域：
1. 手机和平板电脑等移动设备中的电源管理单元 (PMU) 和 DC/DC 转换器。
2. 电池保护电路和负载开关，特别是在那些对效率要求较高的消费类电子产品中。
3. 固态继电器和电机驱动控制电路。
4. 数据通信设备中的信号隔离和开关功能。
5. 各种工业自动化设备内的功率调节和转换模块。
RLS0210DZT,
RLST236A054MV,
RLST236A065MV
