时间：2025/12/28 20:42:11
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RLSO8A034C 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率电源转换和功率控制应用。该器件采用小型表面贴装封装（如SOP-8），具有较低的导通电阻和良好的热稳定性，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：100mA
导通电阻（RDS(on)）：1.5Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOP-8
RLSO8A034C 的核心特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件在设计上优化了热性能，使其能够在较高温度下稳定运行。此外，该MOSFET具备良好的栅极绝缘性能，能够承受高达 ±20V 的栅源电压，从而增强了器件的抗干扰能力和长期可靠性。
该MOSFET的 SOP-8 封装形式非常适用于空间受限的 PCB 设计，便于自动化装配和高密度布局。其内部结构采用先进的硅工艺制造，具有出色的开关特性和快速响应能力，适用于高频开关应用。RLSO8A034C 还具备较高的耐用性和稳定性，能够在多种工业环境和工作条件下保持一致的性能表现。
RLSO8A034C 常用于低功率开关电路、电池管理系统、便携式电子设备的电源控制、LED驱动器、小型DC-DC转换器以及逻辑电平控制的负载开关等场合。此外，它也适合用于小型电机驱动和传感器电源管理等应用，提供可靠的功率控制能力。
RLS08A034C, RLS08A034CFW, RLS08A034CTR
