类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏极电流（Id）：4.1A
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：20V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±12V
　　导通电阻（Rds(on)）：24mΩ（典型值）
　　功耗（Pd）：2000mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP-8
　　晶体管配置：单路

RLSD92Q241C 具备多项优良特性，使其在众多功率 MOSFET 中脱颖而出。首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为 24mΩ（典型值），有效降低了导通损耗，提高了整体效率。其次，该器件的最大漏极电流为 4.1A，漏极-源极击穿电压为 20V，适用于中低功率的电源管理应用。栅极-源极电压范围为 ±12V，确保在各种驱动条件下都能保持稳定的性能。
　　此外，RLSD92Q241C 采用了罗姆先进的沟槽栅极技术，优化了开关特性和热性能，使其在高频工作下依然能够保持较低的开关损耗。其 2000mW 的功耗支持在较高温度环境下运行，同时具备良好的散热能力。SOP-8 封装形式不仅节省空间，还便于自动化生产和 PCB 布局，适合现代电子产品的小型化趋势。
　　在可靠性方面，RLSD92Q241C 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于严苛的环境条件，包括汽车电子系统和工业设备。其出色的热稳定性和抗干扰能力，使其在复杂的电磁环境中也能保持稳定运行。

RLSD92Q241C 主要应用于各类需要高效、低功耗功率控制的电子设备中。常见的应用包括 DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关、电机驱动电路以及电源管理模块。在汽车电子领域，该器件可用于车身控制模块、LED 照明驱动和车载充电系统。在工业自动化设备中，RLSD92Q241C 可作为高频率开关元件，用于变频器、伺服驱动器和智能电表等设备。此外，该 MOSFET 也广泛用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和便携式充电设备中的电源转换与管理电路。

Si2302DS, FDN304P, AO3400A