类型：P沟道 MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：4A
　　导通电阻(Rds(on))：81mΩ（在Vgs=10V时）
　　功率耗散(Pd)：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOP（Small Outline Package）

RLSD92Q081CC 功率MOSFET具有多项优异的电气和物理特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为81mΩ，这有助于在导通状态下降低功率损耗，提高系统效率，特别适用于高频率开关应用。其次，该器件的最大漏源电压为30V，最大连续漏极电流为4A，具备良好的负载能力和稳定性，能够在中等功率条件下可靠工作。此外，该MOSFET采用先进的沟槽栅技术，提升了开关速度，降低了开关损耗，从而提高整体电源转换效率。
　　RLSD92Q081CC 的栅源电压容限为±20V，增强了其在复杂电源环境下的耐受能力，减少了因电压波动导致损坏的风险。器件的功率耗散为2.5W，适合在空间受限的电路板上使用，同时其SOP封装形式具有良好的散热性能，确保在高负载条件下稳定运行。另外，该器件符合RoHS环保标准，无铅封装，适用于现代绿色电子产品设计。
　　这款MOSFET还具备良好的热稳定性和过热保护性能，能够在高温环境下保持稳定运行。其P沟道结构适用于高端开关应用，如负载开关、DC-DC转换器和电池管理系统，能够有效控制电流流向并防止反向电流流动。

RLSD92Q081CC 广泛应用于多种电源管理和功率控制电路中。常见应用包括DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电池供电设备、便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）、电源管理系统（如电源适配器、电源管理IC外围电路）、LED驱动电路以及电机控制电路等。由于其低导通电阻和高效率特性，该器件特别适合用于高频率开关电源和节能型电源系统中，有助于提高能量转换效率并延长电池续航时间。此外，该MOSFET也可用于电源反向电流保护、多路电源切换控制等场景，确保系统的稳定性和安全性。

Si4435BDY, AO4406A, FDS6680, FDMS86180