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RLSD92A031C 发布时间 时间:2025/12/28 19:23:00 查看 阅读:10

RLSD92A031C 是一款由 Rohm(罗姆)公司生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和高可靠性等特点。RLSD92A031C 通常用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及其他需要高效功率控制的电路中。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):9.1A
  导通电阻(Rds(on)):31mΩ(典型值)
  功耗(Pd):225W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装形式:SOP-8FL

特性

RLSD92A031C 的主要特性之一是其非常低的导通电阻(Rds(on)),仅为31mΩ,这使得该MOSFET在导通状态下具有极低的功率损耗,从而提高了整体系统的效率。
  此外,该器件具有较高的连续漏极电流能力(9.1A),能够在中高功率应用中提供稳定的性能。
  其栅极驱动电压范围为±20V,确保了在各种控制电路中的可靠操作。
  RLSD92A031C 还具有良好的热稳定性和散热性能,得益于其高效的封装设计,能够在高负载条件下保持较低的工作温度,延长使用寿命。
  该MOSFET具有快速的开关特性,适用于高频开关应用,如同步整流和DC-DC转换器,从而减小了外部电感和电容的尺寸,提高了系统的功率密度。
  另外,RLSD92A031C 采用SOP-8FL封装,具有较小的PCB占用空间,适合用于紧凑型电子产品设计。

应用

RLSD92A031C 主要应用于各种功率电子设备中,包括但不限于DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、电机驱动器、电池充电管理系统、负载开关控制、电源管理模块以及各类便携式电子设备的电源部分。
  由于其高效率和紧凑的封装形式,该MOSFET也常用于汽车电子系统、工业自动化设备、通信电源模块以及消费类电子产品中。
  在汽车应用中,RLSD92A031C 可用于车载充电器、LED照明驱动电路以及车载信息娱乐系统的电源管理部分。
  在工业控制领域,该器件适用于PLC(可编程逻辑控制器)、传感器供电模块以及智能电表中的电源转换电路。

替代型号

Si2302DS, FDS6675, AO4406, NDS355AN, IPB013N04LG

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