RLSD32A151LC 是一款由 ROHM(罗姆)生产的 N 沟道逻辑 级 MOSFET。该器件采用小型封装,适用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。
RLSD32A151LC 的设计特点在于其低导通电阻(Rds(on)),能够在高频和高效率应用中提供优异的性能表现。此外,它还具备出色的开关速度和较低的栅极电荷特性,非常适合便携式设备、电源管理模块及负载开关等应用。
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压 (Vds):30 V
最大栅源电压 (Vgs):±8 V
连续漏极电流 (Id):9.4 A
导通电阻 (Rds(on)):55 mΩ (典型值,Vgs=4.5V)
总栅极电荷 (Qg):7 nC
开关时间:ton=15 ns, toff=16 ns
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:SOT-23
RLSD32A151LC 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力,使其在高频电路中表现出色。
3. 小型 SOT-23 封装,适合空间受限的设计环境。
4. 宽工作温度范围,确保在恶劣环境下仍能稳定运行。
5. 良好的热稳定性,进一步增强了器件的可靠性。
6. 栅极驱动电压兼容标准逻辑电平,便于与各种控制器配合使用。
这些特性使 RLSD32A151LC 成为许多高效开关电路的理想选择。
RLSD32A151LC 主要应用于以下领域:
1. 便携式电子设备中的负载开关。
2. 开关模式电源(SMPS)和 DC/DC 转换器中的功率级开关。
3. 电池供电设备中的电源管理模块。
4. 电机驱动电路中的开关元件。
5. 信号切换和保护电路。
由于其紧凑的封装和高效性能,这款 MOSFET 特别适合消费类电子产品和工业自动化设备。
RLSS2115DFN, RLSS2125DFN