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RLSD32A121LC 发布时间 时间:2025/6/4 14:23:11 查看 阅读:6

RLSD32A121LC 是一款由 ROHM 公司生产的低导通电阻 N 沟道 MOSFET,主要用于电源管理、负载开关和电机驱动等应用。该器件采用了先进的制造工艺,在确保低导通损耗的同时,还具有良好的开关性能和抗浪涌能力。
  RLSD32A121LC 的封装形式为超小型的 DFN1006-2(LCT),使其非常适合空间受限的设计。其额定电压为 30V,能够承受一定的瞬态过压,并且具备极低的导通电阻(RDS(on)),从而提高了系统的整体效率。

参数

型号:RLSD32A121LC
  类型:N沟道增强型MOSFET
  封装:DFN1006-2 (LCT)
  额定电压(Vds):30V
  额定电流(Id):2.8A
  导通电阻(RDS(on)):12mΩ (典型值,在Vgs=4.5V时)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):1.1V (典型值)
  总功耗(Ptot):0.1W
  工作温度范围:-55°C to +150°C
  结温(Tj):150°C

特性

RLSD32A121LC 的主要特点是其超小尺寸与高效的性能相结合。它采用 DFN1006-2 封装,仅为 1.0mm x 0.6mm,厚度为 0.37mm,是市场上最小的功率 MOSFET 之一。此外,该器件在较低的栅极驱动电压下也能实现非常低的导通电阻。
  具体特性如下:
  1. 极低的 RDS(on),有助于减少传导损耗并提高效率。
  2. 高开关速度和低栅极电荷,使得其动态性能优越,适合高频应用。
  3. 超小型封装,节省电路板空间,特别适用于便携式设备和高密度设计。
  4. 宽广的工作温度范围,能够适应各种恶劣环境条件。
  5. 内置 ESD 保护功能,增强了器件的可靠性。
  这种 MOSFET 的优化设计使其成为电池供电设备的理想选择,同时也可以用于需要高效能和紧凑设计的各种场合。

应用

RLSD32A121LC 主要应用于以下领域:
  1. 移动设备中的负载开关,例如智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备。
  2. DC-DC 转换器和线性稳压器中的同步整流开关。
  3. 小型电机驱动和电池保护电路。
  4. USB 接口保护和电源路径管理。
  5. 可穿戴设备中的电源管理单元。
  由于其低导通电阻和小型化封装,该器件能够在不显著增加系统复杂度的情况下提供出色的性能。

替代型号

RLSS3120TDB, RLSS3120TKB

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