RLSD32A121LC 时间：2025/6/4 14:23:11 阅读：6

RLSD32A121LC 是一款由 ROHM 公司生产的低导通电阻 N 沟道 MOSFET，主要用于电源管理、负载开关和电机驱动等应用。该器件采用了先进的制造工艺，在确保低导通损耗的同时，还具有良好的开关性能和抗浪涌能力。
　　RLSD32A121LC 的封装形式为超小型的 DFN1006-2（LCT），使其非常适合空间受限的设计。其额定电压为 30V，能够承受一定的瞬态过压，并且具备极低的导通电阻（RDS(on)），从而提高了系统的整体效率。

参数

型号：RLSD32A121LC
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：DFN1006-2 (LCT)
　　额定电压(Vds)：30V
　　额定电流(Id)：2.8A
　　导通电阻(RDS(on))：12mΩ (典型值，在Vgs=4.5V时)
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：1.1V (典型值)
　　总功耗(Ptot)：0.1W
　　工作温度范围：-55°C to +150°C
　　结温(Tj)：150°C

特性

RLSD32A121LC 的主要特点是其超小尺寸与高效的性能相结合。它采用 DFN1006-2 封装，仅为 1.0mm x 0.6mm，厚度为 0.37mm，是市场上最小的功率 MOSFET 之一。此外，该器件在较低的栅极驱动电压下也能实现非常低的导通电阻。
　　具体特性如下：
　　1. 极低的 RDS(on)，有助于减少传导损耗并提高效率。
　　2. 高开关速度和低栅极电荷，使得其动态性能优越，适合高频应用。
　　3. 超小型封装，节省电路板空间，特别适用于便携式设备和高密度设计。
　　4. 宽广的工作温度范围，能够适应各种恶劣环境条件。
　　5. 内置 ESD 保护功能，增强了器件的可靠性。
　　这种 MOSFET 的优化设计使其成为电池供电设备的理想选择，同时也可以用于需要高效能和紧凑设计的各种场合。

应用

RLSD32A121LC 主要应用于以下领域：
　　1. 移动设备中的负载开关，例如智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备。
　　2. DC-DC 转换器和线性稳压器中的同步整流开关。
　　3. 小型电机驱动和电池保护电路。
　　4. USB 接口保护和电源路径管理。
　　5. 可穿戴设备中的电源管理单元。
　　由于其低导通电阻和小型化封装，该器件能够在不显著增加系统复杂度的情况下提供出色的性能。