类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：60A
　　导通电阻（Rds(on)）：8.4mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：120W
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装形式：PowerPAK 1212-8S

RLDSON10Q084LVA采用了瑞萨先进的沟槽栅极技术，使其在导通状态下的电阻非常低，从而降低了功率损耗并提高了系统效率。该器件的Rds(on)值仅为8.4mΩ，在高电流应用中表现出色，可有效减少发热和能量损耗。
　　此外，该MOSFET具有高栅极电压容限（±20V），增强了其在复杂工作环境中的可靠性，减少了因过压导致的损坏风险。器件内部的热阻优化设计也提升了其热稳定性，使其能够在高温环境下稳定运行。
　　封装方面，RLDSON10Q084LVA使用了PowerPAK 1212-8S封装，该封装具有优异的热管理和电气性能，同时支持双面散热，有助于提高整体系统的热效率。该封装还支持高密度PCB布局设计，适用于对空间有严格要求的应用场景。
　　该MOSFET具有快速开关特性，适用于高频开关应用，例如同步整流、DC-DC转换器和负载开关控制。其低寄生电感和电容也进一步提高了开关性能，降低了开关损耗。

RLDSON10Q084LVA广泛应用于各种高性能电源管理系统中。在服务器和电信设备的电源模块中，它可用于高效率DC-DC转换器，以实现更高的功率密度和更低的功耗。该器件也适用于工业自动化设备中的电机驱动电路，提供稳定的高电流输出并减少发热。
　　在电池管理系统（BMS）中，RLDSON10Q084LVA可用于高侧或低侧负载开关，实现对电池充放电过程的高效控制。此外，它还可用于高功率LED照明系统、电动工具和电动汽车中的辅助电源模块。
　　由于其高可靠性和热稳定性，该器件也适用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、电池管理系统和电机控制模块。其紧凑型封装也使其成为空间受限应用的理想选择。

SiR142DP-T1-GE3, IRF6753TRPBF, IPB017N10N3 G