时间：2025/8/30 18:15:59
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RLDSON10Q084LC 是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的功率MOSFET器件，属于Rapid Configuration? Power Stage系列产品。该器件集成了一个高边和一个低边MOSFET，适用于DC-DC转换器、电压调节模块（VRM）和服务器电源等高效率电源转换应用。RLDSON10Q084LC采用了先进的封装技术和热管理设计，能够在高开关频率下实现高效的功率转换，同时保持较低的导通和开关损耗。
类型：双N沟道功率MOSFET
配置：高边和低边集成
漏源电压（VDS）：100V
连续漏极电流（ID）：80A（高边），80A（低边）
导通电阻（RDS(on)）：8.4mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：20nC（典型值）
封装类型：PowerPAK MLPD 5x6mm
工作温度范围：-55°C至150°C
封装高度：0.8mm
输入电容（Ciss）：1700pF（典型值）
短路耐受能力：支持
RLDSON10Q084LC具备多项先进的技术特性，确保其在高性能电源系统中的可靠性和效率。首先，该器件采用了低RDS(on) MOSFET技术，有效降低导通损耗，提高整体效率。其高边和低边MOSFET的集成设计不仅节省了PCB空间，还减少了外围元件数量，简化了设计流程。
其次，RLDSON10Q084LC的封装采用了瑞萨专有的PowerPAK MLPD技术，具有出色的热性能和电流承载能力，能够在高功率密度应用中稳定运行。该封装高度仅为0.8mm，适用于空间受限的设计环境。
此外，该器件具备优异的开关性能，支持高频操作，减少开关损耗，适用于现代服务器、通信设备和工业电源等要求苛刻的应用场景。RLDSON10Q084LC还内置了栅极驱动器保护功能，包括过热保护和短路保护，提升了系统的安全性和稳定性。
该器件的工作温度范围宽达-55°C至150°C，适用于各种严苛环境条件下的应用，确保在极端温度下依然保持稳定性能。
RLDSON10Q084LC广泛应用于需要高效能、高可靠性和高集成度的电源管理系统中。典型应用包括服务器和工作站的电压调节模块（VRM）、DC-DC转换器、同步整流器、负载点（POL）电源、工业自动化设备和高性能计算系统。该器件的高集成度和优异的热性能使其特别适用于空间受限且对效率要求较高的设计场景。
此外，RLDSON10Q084LC也适用于需要快速开关和高电流处理能力的电机控制、电池管理系统（BMS）以及电源管理单元（PMU）等应用。由于其内置保护机制和高耐压特性，该器件在汽车电子和工业控制等对安全性要求较高的领域中也具有良好的适用性。
SiC456, RLR00010N, RLD100N65CG, RLD100N65CGD
