类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：34A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为8.5mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：140W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8 双散热焊盘

RLDSON10Q034LVA 具备多项优异性能，首先是其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统效率。在VGS=10V时，RDS(on)的典型值仅为8.5mΩ，使其在高电流应用中表现出色。此外，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了卓越的开关性能和稳定性。
　　其次，RLDSON10Q034LVA 采用PowerPAK SO-8封装，具备双散热焊盘设计，提高了热性能和电流承载能力。这种封装形式不仅节省空间，还便于PCB布局和散热管理，适用于高密度电源设计。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，具有较强的抗过压能力，同时在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。其最大连续漏极电流为34A，漏源击穿电压为100V，适用于多种中高功率应用，如同步整流、负载开关、服务器电源和工业控制系统等。
　　此外，RLDSON10Q034LVA 具有良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，增强了系统的可靠性和耐用性。

RLDSON10Q034LVA 主要应用于高效率电源系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统。此外，该器件也广泛用于服务器电源、电信设备、工业自动化控制、电源管理模块以及各类高功率密度电子系统中。由于其优异的导通性能和热管理能力，非常适合用于需要高效率和高可靠性的应用场景。

SiR142DP-T1-GE, FDS4410AS, NexFET CSD17551Q5A, AO4407