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RLDSON10Q034LC 发布时间 时间:2025/8/30 21:56:12 查看 阅读:9

RLDSON10Q034LC 是一款由瑞萨电子(Renesas Electronics)推出的功率MOSFET器件,属于N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),专为高效率电源管理应用设计。该器件采用了先进的沟槽式技术,能够在低电压条件下提供高电流处理能力和较低的导通电阻(Rds(on))。其主要特点包括高功率密度、快速开关性能和良好的热稳定性,适用于诸如DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统(BMS)以及各类便携式或嵌入式电源系统。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):10A(在25°C)
  导通电阻(Rds(on)):34mΩ(最大值,在Vgs=10V)
  封装类型:PowerPAK SO-8
  工作温度范围:-55°C至150°C
  最大功耗(Pd):3.5W(在25°C)
  栅极电荷(Qg):19nC(典型值)
  输入电容(Ciss):780pF(典型值)

特性

RLDSON10Q034LC 的核心优势在于其极低的导通电阻(Rds(on)),这显著降低了导通损耗,提高了电源转换效率。
  该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,使得其在小尺寸封装下仍能提供较高的电流承载能力。
  其封装形式为PowerPAK SO-8,这种封装不仅提供了良好的散热性能,而且具有较小的PCB占用空间,非常适合高密度电源设计。
  此外,RLDSON10Q034LC 具有较快的开关速度,这有助于减少开关损耗并提高整体系统效率,适用于高频开关电源应用。
  该MOSFET具备良好的热稳定性,在高温环境下依然能保持稳定的性能,从而提高了系统的可靠性和寿命。
  它还具有较强的抗过载能力,能够在短时间内承受较高的电流冲击而不会损坏。
  由于其低栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss),RLDSON10Q034LC 在驱动时对控制器的负载较小,可以与多种类型的驱动电路兼容,降低了设计复杂性。
  综合来看,RLDSON10Q034LC 是一款适用于高性能电源转换与管理系统的理想选择。

应用

RLDSON10Q034LC 主要应用于各类电源管理系统中,包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关控制、电机驱动电路、电池管理系统(BMS)、便携式电子产品(如笔记本电脑、平板电脑、智能手机)中的电源管理模块,以及工业自动化设备、服务器电源、电信设备和消费类电子产品的电源模块。
  在汽车电子领域,该器件也可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)、车载信息娱乐系统(IVI)等对电源效率和可靠性有较高要求的场景。
  此外,RLDSON10Q034LC 还可作为高边或低边开关使用,适用于多种拓扑结构的电源电路设计。

替代型号

SiSS10DN, NexFET CSD17551Q5A, FDMS8880, FDS6680, IRF7413

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