类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：8A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：50V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大54mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大75mΩ @ VGS=4.5V
　　栅极电荷（Qg）：15nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8

RLDSON08Q054LC具有多项先进的电气和物理特性，能够满足高效率电源转换的需求。其低导通电阻显著降低了导通损耗，提高系统效率。该器件在不同栅极电压下均能保持较低的Rds(on)，在10V和4.5V栅极驱动电压下分别达到54mΩ和75mΩ，确保在不同驱动条件下仍能稳定运行。该MOSFET采用了先进的沟槽式结构设计，提升了单位面积内的电流密度，从而在小封装内实现更高的功率处理能力。此外，RLDSON08Q054LC的栅极电荷（Qg）仅为15nC，有助于降低开关损耗，提高开关速度，适用于高频开关应用。其PowerPAK SO-8封装形式具备良好的热性能和机械稳定性，能够在高负载条件下保持良好的散热性能。该器件的宽工作温度范围（-55°C至+175°C）使其适用于严苛的工业环境。RLDSON08Q054LC还具备良好的抗雪崩能力，提高了器件在突发负载变化或短路情况下的可靠性。

RLDSON08Q054LC适用于多种电源管理与功率转换场景。常见应用包括同步整流DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、便携式电子设备的电源管理模块以及服务器和通信设备的电源供应单元。由于其低导通电阻和高效率特性，它在高频率开关电源中表现出色，可有效降低能量损耗并提升整体系统性能。

Si4410BDY-T1-GE3, IRF7413TRPBF, FDS6680, IPD90N03S4-03