类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大漏极电流（Id）@25°C：360A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大6.8mΩ @Vgs=10V
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　功耗（Pd）：300W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：双排DFN（PowerPAK SO-8双面散热）
　　安装类型：表面贴装

RLDSON06Q036V 具备多个显著特性，确保其在高性能电源系统中表现优异。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为6.8mΩ，使得在高电流应用中导通损耗大幅降低，提高整体能效。此外，该MOSFET支持高达360A的连续漏极电流，适用于需要高功率密度的设计。
　　其次，该器件采用了先进的PowerPAK SO-8 DFN封装技术，具备双面散热能力，有助于提高散热效率，降低热阻，从而提升器件在高负载下的稳定性与可靠性。
　　再次，RLDSON06Q036V 支持高达10V的栅极驱动电压，确保在开关过程中快速导通与关断，减少开关损耗。同时，其具备较高的抗雪崩能力和良好的短路耐受性，适用于要求高可靠性的工业和汽车应用。
　　最后，该MOSFET的封装设计兼容标准表面贴装工艺，便于在高密度PCB布局中使用，适合自动化生产流程。

RLDSON06Q036V 广泛应用于多个高功率和高效率需求的领域。其典型应用场景包括：
　　1. 同步整流DC-DC转换器，特别是在服务器电源、通信设备电源以及多相VRM设计中；
　　2. 电机驱动和电动工具中的H桥电路；
　　3. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路；
　　4. 工业自动化控制系统的功率开关模块；
　　5. 汽车电子中的车载充电器（OBC）、DC-DC转换器和电机控制单元；
　　6. 高功率LED照明驱动和储能系统的功率开关部分。
　　由于其低导通电阻和高电流能力，RLDSON06Q036V 是追求高效能和高可靠性的理想选择。

SiZ600DT, NexFET CSD87353Q5D, IPB065N03LA, FDMF68120DC