时间：2025/12/29 14:02:01
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RLD03N06CLESM 是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的N沟道功率MOSFET，专为高效率、低功耗的功率转换应用而设计。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了系统效率。其封装形式为紧凑型表面贴装封装（SOP），适用于空间受限的高密度电路设计。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：150A（在Tc=25℃）
最大功耗（Pd）：120W
工作温度范围：-55℃至+150℃
存储温度范围：-55℃至+150℃
导通电阻（Rds(on)）：3.0mΩ（最大值，Vgs=10V）
输入电容（Ciss）：约2600pF
反向恢复时间（trr）：快速恢复型
RLD03N06CLESM 采用先进的沟槽式功率MOSFET结构，具有极低的导通电阻（Rds(on)），显著降低了导通损耗，提高了能量转换效率。该器件支持高达150A的连续漏极电流，适用于高功率密度的电源系统设计。其栅极驱动电压范围宽，支持标准逻辑电平驱动（如5V或10V），提高了设计灵活性。
此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适用于工业级和汽车级应用。其紧凑型表面贴装封装不仅节省空间，还便于自动化生产装配。
该器件还具备较高的抗雪崩能力，能够在负载突变或短路等异常工况下保持稳定运行，提升系统的可靠性和安全性。同时，其快速开关特性减少了开关损耗，适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机控制及电池管理系统等领域。
RLD03N06CLESM 广泛应用于各类高性能电源系统中，如服务器电源、通信电源、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及汽车电子系统（如车载充电器OBC、DC-DC变换器）等。由于其低导通电阻和高电流能力，非常适合用于高效率、高功率密度的设计需求。
此外，该器件也适用于工业自动化设备、UPS不间断电源、太阳能逆变器、储能系统以及电池管理系统（BMS）等应用场景。
SiSS130N06CM-T1-GE3, IPB03N06N3 G, IRF150N6DPBF
