时间：2025/5/29 20:46:30
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RL202-B是一款高性能的功率MOSFET晶体管，主要用于开关和放大应用。该器件采用TO-252封装形式，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等优点。其广泛应用于电源管理、电机驱动以及各种需要高效能开关的应用场景中。
RL202-B属于N沟道增强型MOSFET，能够承受较高的漏源电压，并在高频工作条件下保持较低的功耗。其卓越的电气特性使其成为许多设计工程师的理想选择。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：4.3A
导通电阻：0.18Ω
总功耗：1.7W
工作结温范围：-55℃至175℃
1. 低导通电阻（Rds(on)），可有效降低功率损耗。
2. 高速开关能力，适用于高频电路。
3. 良好的热稳定性，确保在高温环境下可靠运行。
4. 小型化的TO-252封装，节省PCB空间。
5. 提供出色的电气保护功能，如过流保护和短路保护。
6. 宽工作温度范围，适应多种恶劣环境条件。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器及降压/升压模块。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. 电机控制与驱动电路。
5. 各种工业自动化设备中的信号切换。
6. 通信设备中的电源管理部分。
7. 消费类电子产品中的功率调节单元。
IRF540N
STP4NB60Z
FDP5800
