RKZ18TKGP 是一款由 ROHM(罗姆)公司生产的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高频率开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和优良的热稳定性,适合用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备等应用场景。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏极电流(ID):1.8A
漏源极最大电压(VDS):20V
栅源极最大电压(VGS):±12V
导通电阻(RDS(on)):320mΩ(典型值)@ VGS = 4.5V
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TSMT4(超小型表面贴装)
RKZ18TKGP 具备优异的导通性能与开关特性,适用于对空间和效率有较高要求的便携式电子产品。其低导通电阻可有效降低功率损耗,提高系统效率。此外,该器件采用高散热性能的 TSMT4 封装,有助于提升热稳定性,延长使用寿命。ROHM 还在该产品中采用了环保材料,符合 RoHS 指令要求,适合绿色电子产品的设计需求。该 MOSFET 在高频率下仍能保持稳定工作,使其在 DC-DC 转换器和电源管理系统中表现出色。
RKZ18TKGP 主要用于小型电源模块、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、智能手机及其他便携式电子设备中的电源控制部分。此外,它还可用于工业控制系统中的低功耗开关电路。
R1LV001ANTF-D(Rohm)、2SK3018(Rohm)、DMN6024LFDI(Diodes Inc)、FDMS8878(ON Semiconductor)