时间：2025/7/31 18:02:45
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RKZ18TKGP 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频率开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和优良的热稳定性，适合用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备等应用场景。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：1.8A
漏源极最大电压（VDS）：20V
栅源极最大电压（VGS）：±12V
导通电阻（RDS(on)）：320mΩ（典型值）@ VGS = 4.5V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TSMT4（超小型表面贴装）
RKZ18TKGP 具备优异的导通性能与开关特性，适用于对空间和效率有较高要求的便携式电子产品。其低导通电阻可有效降低功率损耗，提高系统效率。此外，该器件采用高散热性能的 TSMT4 封装，有助于提升热稳定性，延长使用寿命。ROHM 还在该产品中采用了环保材料，符合 RoHS 指令要求，适合绿色电子产品的设计需求。该 MOSFET 在高频率下仍能保持稳定工作，使其在 DC-DC 转换器和电源管理系统中表现出色。
RKZ18TKGP 主要用于小型电源模块、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、智能手机及其他便携式电子设备中的电源控制部分。此外，它还可用于工业控制系统中的低功耗开关电路。
R1LV001ANTF-D（Rohm）、2SK3018（Rohm）、DMN6024LFDI（Diodes Inc）、FDMS8878（ON Semiconductor）
