时间：2025/7/1 6:32:21
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RKR104BKVP6-HS 是一款高效能的功率 MOSFET，采用先进的制造工艺和封装技术，专为需要高效率、低损耗的应用场景设计。该器件适用于多种工业和消费类电子应用，能够提供卓越的开关性能和热稳定性。
这款 MOSFET 具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够在高频工作条件下减少能量损耗，同时其优化的封装结构可以有效提升散热性能。
型号：RKR104BKVP6-HS
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：60V
最大连续漏极电流(Id)：95A
导通电阻(Rds(on))：2.3mΩ
栅极电荷(Qg)：76nC
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247-3L
RKR104BKVP6-HS 提供了以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型工作条件下可显著降低功率损耗。
2. 高额定电流能力，适合大功率应用。
3. 耐热增强型封装设计，提升了器件的热管理能力。
4. 快速开关速度，减少了开关损耗并提高了系统效率。
5. 宽广的工作温度范围，适应各种严苛环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
RKR104BKVP6-HS 适合应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
2. 电机驱动控制，包括直流无刷电机（BLDC）和其他类型的电机控制。
3. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
4. 工业自动化设备中的功率管理电路。
5. 电动汽车及混合动力汽车的电池管理系统（BMS）。
6. 高效 DC-DC 转换器设计。
7. 各种需要高功率密度和低功耗的电子应用。
RKR104BKVP6-LP, RKR104BKVP6-HP
