时间：2025/7/2 12:52:19
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RKR103BKUP6-HS 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用 TO-263-3 封装形式。这款芯片主要用于需要高效率和低功耗的应用场景。其设计特点在于提供较低的导通电阻和较高的开关速度，同时具有良好的热性能和电气性能。适用于工业、汽车电子以及消费类电子产品中的电源管理和电机驱动等应用。
该器件在高频工作条件下表现优异，同时具备短路保护功能，确保在异常情况下能够安全运行。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：39A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
总栅极电荷：58nC
输入电容：1780pF
工作温度范围：-55℃至175℃
RKR103BKUP6-HS 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用环境。
3. 高电流承载能力，可满足大功率负载需求。
4. 优秀的热性能，通过优化封装设计提升了散热效果。
5. 短路耐受时间长，在异常工况下能更好地保护电路。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代化的设计中。
7. 工作温度范围宽广，适应各种极端环境条件。
RKR103BKUP6-HS 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. 电机控制与驱动
4. 电池管理系统（BMS）
5. 汽车电子设备中的负载切换
6. 工业自动化设备中的功率调节
7. LED 驱动器和其他高效能功率管理模块
RKP103BNUP6-HS
RFP10N06L
IRFZ44N
