类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：65V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：4A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大28mΩ @ VGS = 10V
　　功率耗散（PD）：3.6W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-252（DPak）
　　引脚数：3

RJH65T04B MOSFET采用了Renesas先进的沟槽技术，使其在低电压应用中具有优异的性能表现。其主要特性包括：
　　1. 低导通电阻（RDS(on)）：RJH65T04B在VGS=10V时的RDS(on)最大为28mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率，适用于高效率的电源转换器和电池管理系统。
　　2. 高电流承载能力：该器件可连续承载4A的漏极电流，能够在中等功率负载下提供稳定可靠的性能，适用于电机驱动和负载开关应用。
　　3. 高耐压能力：具备65V的漏源耐压能力，使其适用于多种中低压电源管理场景，如DC-DC降压/升压变换器、同步整流器等。
　　4. 热稳定性与可靠性：采用TO-252封装形式，具有良好的散热性能，有助于提高器件在高负载条件下的热稳定性和长期运行可靠性。
　　5. 宽工作温度范围：支持从-55°C到+150°C的温度范围内稳定工作，适合工业级和车载应用环境。
　　6. 栅极保护设计：最大栅源电压为±20V，增强了器件在复杂电路环境中的抗过压能力，提高了使用的安全性和稳定性。

RJH65T04B适用于多种中低压功率电子系统中，主要应用包括：
　　1. 电源管理：用于DC-DC转换器、稳压器、同步整流器等电源模块中，提供高效的能量转换和低功耗性能。
　　2. 电机控制：作为H桥或单向驱动电路中的开关元件，实现对直流电机、步进电机的高效控制。
　　3. 电池管理系统：用于电池充放电控制电路，确保电池在安全范围内运行，提高电池寿命和使用效率。
　　4. 负载开关：在电源分配系统中作为电子开关，控制不同负载的通断，实现节能和智能管理。
　　5. 工业自动化：用于PLC、工业控制设备和自动化系统的电源控制模块中，提高系统的稳定性和响应速度。
　　6. 汽车电子：适用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、车载娱乐系统等汽车电子设备中，满足车载环境对可靠性和稳定性的要求。

RJH65T04BSP, RJK6014DPK, Si4435BDY, FDS6675