时间：2025/12/29 12:18:11
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RJ50FP202 是一款由 Renesas（瑞萨电子）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，专为高电压和高电流应用而设计。该器件采用了先进的沟槽栅极和屏蔽栅极技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特性，广泛应用于电源转换器、DC-DC转换器、电机控制和工业自动化等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：200V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：50A
导通电阻（Rds(on)）：最大值40mΩ（在Vgs=10V时）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-247
功率耗散（Pd）：200W
RJ50FP202 的核心特性之一是其低导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。其40mΩ的Rds(on)在10V栅极驱动电压下表现出色，使得在高电流应用中仍能保持较低的温升。
该器件采用了先进的沟槽栅极技术和屏蔽栅极结构，优化了电场分布并降低了寄生电容，从而提高了开关性能，使其在高频应用中具有优势。
此外，RJ50FP202 具有较高的耐用性和热稳定性，能够在极端温度条件下正常工作。其TO-247封装形式不仅有助于良好的散热，还便于安装在散热片上，适用于大功率设计。
该MOSFET还具备良好的雪崩耐受能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行，提高了系统的可靠性和寿命。
RJ50FP202 主要应用于需要高电压和高电流能力的电力电子设备中，例如工业电源、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器以及不间断电源（UPS）等。
在开关电源中，该器件可用于主开关拓扑结构，如半桥、全桥或LLC谐振变换器，以实现高效率的能量转换。
在电机控制应用中，RJ50FP202 可作为H桥结构中的功率开关，用于驱动直流电机或无刷直流电机（BLDC），提供高效的功率输出。
此外，该MOSFET也适用于太阳能逆变器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的高功率开关控制电路。
SiHF50N200E, IXFH50N200P, STP55N200FI, FGP50N200S
