RJ23T3CB1BT 时间：2025/8/27 18:59:34 阅读：6

RJ23T3CB1BT 是一款由 Renesas（瑞萨电子）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能和低导通电阻的应用场合。该器件采用先进的沟槽工艺制造，具备出色的热稳定性和电流处理能力，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及负载开关等场景。该 MOSFET 采用 TSMT（TSON）封装形式，具有较小的封装尺寸和良好的散热性能。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：30V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：3.1A
　　导通电阻（Rds(on)）：95mΩ @ Vgs=10V；130mΩ @ Vgs=4.5V
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TSMT（TSON）

特性

RJ23T3CB1BT MOSFET 具备多项优异特性，适合多种高性能电源应用。
　　首先，该器件具有较低的导通电阻，能够在导通状态下显著降低功耗，提高系统效率。其 Rds(on) 值在 Vgs=10V 时为 95mΩ，在 Vgs=4.5V 时为 130mΩ，这使得它适用于中低电压驱动应用，如电池供电设备和嵌入式系统。
　　其次，该 MOSFET 支持较高的栅极电压（±20V），具有良好的栅极稳定性，防止因电压波动导致的误触发或损坏。同时，它具备较强的电流处理能力，连续漏极电流可达 3.1A，适用于中等功率负载的切换和控制。
　　再者，该器件采用 TSON 封装，具有良好的热性能和较小的占板空间，适合高密度 PCB 设计。其封装结构也有助于快速散热，提升器件在高负载条件下的可靠性。
　　此外，RJ23T3CB1BT 还具备良好的抗静电能力和热稳定性，能在恶劣环境下稳定工作。这使得它特别适用于汽车电子、工业控制和便携式电子产品等要求较高的应用场景。

应用

RJ23T3CB1BT 广泛应用于多个领域，包括：
　　1. 电源管理系统：如电池充电器、电源开关和电压调节器；
　　2. DC-DC 转换器：用于提高转换效率和减小电路尺寸；
　　3. 电机驱动和负载开关：适用于小型电机、继电器和电磁阀的控制；
　　4. 汽车电子：如车载信息娱乐系统、车身控制模块等；
　　5. 工业自动化设备：用于传感器、执行器和 PLC 控制电路；
　　6. 便携式电子设备：如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理单元。