时间：2025/6/3 20:36:46
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RHTVSDF02R521N-S 是一款高性能的贴片式功率 MOSFET，采用先进的半导体制造工艺。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于各种功率转换和电机驱动应用。其封装形式为 DFN8，能够提供卓越的电气特性和可靠性。
该型号属于增强型 N 沟道 MOSFET 系列，广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备中。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：13A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：47nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：DFN8
RHTVSDF02R521N-S 具有低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。同时，其高开关速度使得它非常适合高频应用场合。此外，器件内置了 ESD 保护功能以增强稳定性，并且采用了无铅材料，符合 RoHS 标准。
该 MOSFET 的热阻较低，可以有效降低运行时的结温，从而延长使用寿命。并且由于其紧凑的封装设计，在 PCB 布局上更加灵活。
该器件主要应用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、负载开关以及 LED 驱动等领域。在这些应用中，RHTVSDF02R521N-S 可以提供高效、可靠的功率控制解决方案。
RHTVSDF02R521N-T, RHTVSDF02R521N-D
