时间：2025/6/3 17:09:06
阅读：6
RHTVSDF01521N-S 是一款高性能的 MOSFET 场效应晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
其封装形式为 SOT-23，具有良好的散热性能和紧凑的设计，非常适合空间受限的应用场景。
类型：N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：4.8A
导通电阻(Rds(on))：35mΩ (典型值，在 Vgs=10V 时)
栅极电荷(Qg)：12nC (典型值)
开关时间：开启延迟时间(td(on))=8ns，关断传播时间(td(off))=15ns
工作结温范围(Tj)：-55℃ 至 +150℃
封装形式：SOT-23
RHTVSDF01521N-S 的主要特性包括：
1. 低导通电阻，可显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用环境。
3. 小型化封装设计，有助于减少 PCB 占用面积。
4. 良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。
5. 内置 ESD 保护功能，增强了器件的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
该 MOSFET 器件适用于以下应用场景：
1. 开关电源中的同步整流和降压转换器。
2. 电池管理系统的充放电控制电路。
3. 电机驱动中的功率级开关。
4. 各类负载开关及保护电路。
5. 消费类电子产品中的 DC/DC 转换模块。
6. 工业自动化设备中的信号隔离与驱动电路。
RHTVSDF01522N-S, RHTVSDF01520N-S
