RHTVSDC0521D3 是一款基于硅技术的瞬态电压抑制 (TVS) 二极管,主要用于保护敏感电子设备免受静电放电 (ESD)、感应雷击和其它瞬态电压威胁。该器件具有低电容特性,非常适合高速数据线路的保护应用。
此 TVS 二极管采用紧凑型封装设计,能够满足现代电子设备对小型化和高性能的需求。其出色的箝位能力和快速响应时间确保了被保护电路的安全性和稳定性。
最大反向工作电压:5.8V
击穿电压:6.4V
最大箝位电压:12.7V
峰值脉冲电流:14A
电容:12pF
结电容:12pF
响应时间:1ps
漏电流:1uA
功率耗散:390mW
RHTVSDC0521D3 提供卓越的瞬态电压抑制性能,同时保持较低的动态电阻以减少箝位电压。
它的低电容特性有助于维持信号完整性,特别是在高频或高速应用中。
此外,该器件具有高可靠性,能够在多次瞬态事件后仍保持稳定性能。
紧凑型封装使其易于集成到各种设计中,并减少了印刷电路板的空间需求。
其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,适用于广泛的工业和消费类应用场景。
RHTVSDC0521D3 广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制领域。
典型的应用包括 USB 接口保护、HDMI 接口保护、以太网端口保护以及其他高速数据线的 ESD 和浪涌保护。
此外,它还可用于音频和视频设备中的信号线路保护,以及工业自动化系统中的传感器保护。
PESD5V0X1B, SMAJ5.0A