RHTVS01221N-S(12B) 是一款高性能的 TVS (瞬态电压抑制器) 芯片,主要应用于电路中的过压保护。该器件具有快速响应时间、低电容和高浪涌电流能力等特性,能够有效保护敏感电子设备免受静电放电 (ESD)、雷击和其他瞬态电压的影响。
这款 TVS 二极管采用 SOD-123FL 封装形式,具备出色的热稳定性和可靠性,非常适合消费电子、通信设备以及工业控制等领域的应用。
额定工作电压(VRWM):12V
击穿电压(VBR):13.3V
最大箝位电压(VC):25.1V
峰值脉冲电流(IPP):87A
动态电阻(RDYN):0.45Ω
电容(C):10pF
结电容(Cj):10pF
反向漏电流(IR):1μA
响应时间(TJ):1ps
1. 快速响应时间,可有效抑制瞬态电压尖峰。
2. 高浪涌电流能力,确保在恶劣环境下的稳定性。
3. 低电容设计,减少了对信号完整性的干扰。
4. 小型化封装,适合空间受限的应用场景。
5. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
6. 工作温度范围宽广,从 -55°C 至 +150°C,适应多种环境条件。
RHTVS01221N-S(12B) 广泛应用于各种需要过压保护的场景,包括但不限于:
1. USB 接口保护。
2. 高速数据线保护。
3. 移动设备中的 ESD 防护。
4. 网络设备和通信接口的过压防护。
5. 汽车电子系统中的瞬态电压抑制。
6. 工业自动化设备中的信号线保护。
P6KE12A, SMBJ12A, SMAJ12A