时间：2025/5/10 14:13:50
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RHRG75120 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的 MOSFET 功率晶体管，由意法半导体 (STMicroelectronics) 推出。该器件采用 TO-247 封装形式，适用于高功率、高频开关应用。由于其低导通电阻和快速开关特性，RHRG75120 在电动汽车充电器、太阳能逆变器以及工业电源转换系统中表现出色。
RHRG75120 的设计充分利用了 SiC 材料的优异性能，如更高的击穿电压、更低的开关损耗和更小的热阻，使得它能够在更高温度和频率下稳定运行，同时提供卓越的效率。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：75A
导通电阻：16mΩ（典型值）
栅极阈值电压：3.6V
总功耗：45W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
RHRG75120 具有以下显著特性：
1. 超低导通电阻，有助于减少传导损耗并提升整体效率。
2. 高击穿电压确保其在高压环境下的可靠性和稳定性。
3. 快速开关能力，支持高达 100kHz 的开关频率，满足现代高频应用需求。
4. 碳化硅材料的应用使其具备优秀的高温性能和出色的热管理能力。
5. 内置反并联肖特基二极管，进一步优化了续流路径的效率。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合各种工业及汽车级应用。
RHRG75120 广泛应用于以下领域：
1. 工业电机驱动和变频器控制。
2. 太阳能光伏逆变器中的 DC/DC 和 DC/AC 转换。
3. 电动车车载充电器 (OBC) 和 DC 快充桩。
4. 不间断电源 (UPS) 和服务器电源。
5. 高效 DC-DC 转换器和 PFC（功率因数校正）电路。
由于其高效、耐高压的特点，这款 MOSFET 成为高功率密度应用的理想选择。
RHRP75120N, CSD19536KTT, SCT3080KL
