RHR30120 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高压功率 MOSFET,属于 MDmeshTM 系列。该器件采用了先进的制造工艺,适用于高电压和大电流的应用场合。其出色的性能使得它在开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的领域中表现出色。
RHR30120 的设计优化了导通电阻和开关损耗之间的平衡,从而提高了整体效率并降低了系统功耗。此外,该器件还具有良好的雪崩能力和抗静电能力,确保了其在各种工作条件下的可靠性和稳定性。
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压:650V
最大连续漏极电流:12A
导通电阻(典型值):1.2Ω
栅极电荷(典型值):79nC
输入电容:2850pF
总功耗:13W
结温范围:-55°C 至 +175°C
RHR30120 具备以下主要特性:
1. 高压操作能力,适合多种工业应用。
2. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗。
3. 快速开关速度,降低开关损耗。
4. 良好的热稳定性和可靠性,能够在极端温度条件下正常工作。
5. 内置保护功能,增强器件的安全性。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
RHR30120 在设计上注重效率与耐用性的结合,使其成为众多功率电子应用的理想选择。
RHR30120 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 电机驱动电路,用于控制和调节电机的速度及方向。
3. 逆变器,将直流电转换为交流电以供家用电器或其他设备使用。
4. UPS 系统,提供持续稳定的电力供应。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
由于其高效率和强健的设计,RHR30120 可以在各种严苛环境下长期稳定运行。
RHR30120E, STP12NM65K5