您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > RHLTVSDF0521N-S

RHLTVSDF0521N-S 发布时间 时间:2025/6/21 15:55:18 查看 阅读:6

RHLTVSDF0521N-S 是一款高性能瞬态电压抑制器(TVS),专为保护电子设备免受静电放电(ESD)、浪涌脉冲和其他瞬态电压威胁而设计。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有低电容、低泄漏电流和高箝位能力等特性,非常适合用于高速数据线和信号线的保护。
  其封装形式通常为 SOD-882,适合表面贴装工艺,能够满足消费电子、通信设备以及工业控制等领域对可靠性和小型化的需求。

参数

额定电压:5V
  峰值脉冲功率:400W(典型值)
  最大反向工作电压:5.8V
  击穿电压:6V
  最大箝位电压:12.8V
  峰值脉冲电流:17.9A
  结电容:0.4pF
  反向漏电流:1μA(最大值,@VRWM)
  响应时间:1ps
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

1. 极低的结电容(0.4pF),适合高速数据线路。
  2. 快速响应时间(1ps),可有效抑制瞬态电压威胁。
  3. 高度可靠的保护性能,符合 IEC 61000-4-2(ESD)国际标准。
  4. 小型化的 SOD-882 封装,节省 PCB 空间。
  5. 良好的热稳定性和电气稳定性,适用于宽温范围应用。
  6. 符合 RoHS 和 REACH 环保要求,支持无铅焊接工艺。

应用

1. USB 2.0/3.0、HDMI、DisplayPort 等高速接口的 ESD 保护。
  2. 移动设备(智能手机、平板电脑)中的射频前端保护。
  3. 工业自动化设备中的信号传输线保护。
  4. 汽车电子系统中的 CAN/LIN 总线保护。
  5. 通信设备中的天线端口保护。
  6. 医疗电子设备中的敏感电路保护。

替代型号

PESD5V0H1BS, SM712, SMAJ5.0A

RHLTVSDF0521N-S推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价