RHK005N03FRA 时间：2025/12/25 12:34:56 阅读：11

RHK005N03FRA是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的N沟道MOSFET，专为高性能电源管理应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极和超结技术制造，具有极低的导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能，适用于高效率DC-DC转换器、同步整流、电池管理系统以及电机驱动等应用场景。其封装形式为小型化的PowerPAK SO-8封装，有助于减少PCB占用面积，并通过优化的热设计实现良好的散热能力。RHK005N03FRA在工作时能够承受较高的电流脉冲，同时具备良好的抗雪崩能力和可靠性，适合在工业控制、消费类电子产品及通信设备中使用。此外，该MOSFET还集成了内置保护机制，如过温保护和静电放电（ESD）防护，提升了系统整体的安全性和稳定性。

参数

型号：RHK005N03FRA
　　制造商：Renesas Electronics
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：50A
　　脉冲漏极电流IDM：200A
　　导通电阻RDS(on) max（@VGS=10V）：5.0mΩ
　　导通电阻RDS(on) max（@VGS=4.5V）：6.5mΩ
　　栅极电荷Qg typ（@VGS=10V）：19nC
　　输入电容Ciss typ：1070pF
　　开启延迟时间td(on) typ：10ns
　　关闭延迟时间td(off) typ：18ns
　　反向恢复时间trr typ：16ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8

特性

RHK005N03FRA采用了瑞萨电子先进的沟槽栅极与超结结构工艺，显著降低了导通损耗并提升了开关速度。其极低的RDS(on)值——在VGS=10V时最大仅为5.0mΩ，确保了在大电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高系统效率并减少对散热设计的需求。该器件在4.5V逻辑电平下也能实现优异的导通性能（RDS(on) ≤ 6.5mΩ），使其兼容低压控制电路，广泛适用于由PWM控制器或微处理器直接驱动的应用场景。
　　该MOSFET具备出色的动态性能表现，典型栅极电荷Qg仅为19nC，结合低输入电容（Ciss约1070pF），大幅减少了驱动损耗和开关过渡时间。这不仅有助于提升电源系统的开关频率上限，还能降低电磁干扰（EMI），简化滤波设计。其快速的开启延迟时间（10ns）和关闭延迟时间（18ns）进一步增强了高频工作的响应能力，适用于同步降压转换器中的上下桥臂开关。
　　在可靠性方面，RHK005N03FRA经过严格测试，支持高达200A的脉冲漏极电流，展现出强大的瞬态负载应对能力。内部结构优化有效抑制了寄生参数的影响，减小了振铃现象的发生概率。同时，该器件具有良好的抗雪崩能量承受能力，在非钳位电感开关测试（UIS）中表现出色，提高了在异常工况下的生存率。集成的ESD保护二极管可承受人体模型（HBM）8kV以上的静电冲击，提升了生产装配过程中的鲁棒性。此外，器件符合RoHS环保标准，无卤素设计满足现代绿色电子产品的要求。

应用

RHK005N03FRA因其高电流承载能力、低导通电阻和优良的开关特性，被广泛应用于各类高效电源系统中。典型应用包括同步整流型DC-DC降压转换器，尤其是在服务器主板、GPU供电模块和CPU核心电压调节器（VRM）中作为低边或高边开关使用。其低Qg和快速响应特性也使其成为多相供电架构中的理想选择，能够有效分担电流、均衡温升，提升整个电源子系统的效率与稳定性。
　　在电池供电设备中，例如笔记本电脑、移动电源及便携式医疗仪器，RHK005N03FRA可用于电池充放电管理回路和负载开关控制，提供高效的能量传输路径。在电机驱动领域，该器件可用于H桥拓扑中的功率开关，驱动直流电机或步进电机，尤其适合需要频繁启停和调速控制的小功率驱动系统。
　　此外，它还可用于热插拔控制器、OR-ing二极管替代方案、LED驱动电源以及电信基础设施中的中间总线转换器（IBC）。得益于其紧凑的PowerPAK SO-8封装，能够在空间受限的设计中实现高功率密度布局。由于其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），该器件也可部署于环境条件严苛的工业自动化控制系统中，确保长期稳定运行。