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RGS80TSX2DHRC11 发布时间 时间:2025/6/5 10:29:23 查看 阅读:8

RGS80TSX2DHRC11 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的制造工艺设计,旨在满足高效率和低功耗应用的需求。该器件适用于工业、汽车及消费类电子领域,具有出色的开关性能和热稳定性。它支持大电流操作,并具备低导通电阻特性,使其在各种电源管理场景中表现出色。

参数

型号:RGS80TSX2DHRC11
  类型:N-Channel MOSFET
  封装形式:TO-263 (D2PAK)
  Vds(漏源电压):60V
  Rds(on)(导通电阻):4.5mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  Id(连续漏极电流):80A
  Vgs(栅源电压):±20V
  Qg(总栅极电荷):49nC
  EAS(雪崩能量):475mJ
  fT(截止频率):2.2MHz
  结温范围:-55℃ to 175℃

特性

RGS80TSX2DHRC11 的主要特点是其低导通电阻 Rds(on),这能够显著降低传导损耗并提高整体系统效率。
  其次,其较高的 Id(连续漏极电流)允许更大的负载能力,从而适合需要处理高电流的应用。
  此外,该芯片还具有良好的热性能,能够在较宽的温度范围内稳定运行。
  同时,它的封装形式 TO-263 提供了优良的散热路径,便于集成到复杂电路中。
  最后,该 MOSFET 的快速开关速度和较低的栅极电荷 Qg 确保了高效的高频操作。

应用

这款功率 MOSFET 主要应用于多种高效能电力转换场合,包括但不限于 DC-DC 转换器、电机驱动、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电动车牵引逆变器以及工业自动化设备中的电源管理系统。
  由于其高耐压和大电流承载能力,也常用于汽车电子领域的负载切换和电池管理系统。
  此外,在消费电子产品如笔记本电脑适配器和家用电器的电源部分也有广泛应用。

替代型号

RGS80TSX2DHRC12
  RGS80TSX2DHRC13
  RGS80TSX2DHRC14

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RGS80TSX2DHRC11产品

RGS80TSX2DHRC11参数

  • 现有数量856现货
  • 价格1 : ¥101.28000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)80 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)120 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2.1V @ 15V,40A
  • 功率 - 最大值555 W
  • 开关能量3mJ(开),3.1mJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷104 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值49ns/199ns
  • 测试条件600V,40A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)198 ns
  • 工作温度-40°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商器件封装TO-247N