时间：2025/6/5 10:29:23
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RGS80TSX2DHRC11 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先进的制造工艺设计，旨在满足高效率和低功耗应用的需求。该器件适用于工业、汽车及消费类电子领域，具有出色的开关性能和热稳定性。它支持大电流操作，并具备低导通电阻特性，使其在各种电源管理场景中表现出色。
型号：RGS80TSX2DHRC11
类型：N-Channel MOSFET
封装形式：TO-263 (D2PAK)
Vds（漏源电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
Id（连续漏极电流）：80A
Vgs（栅源电压）：±20V
Qg（总栅极电荷）：49nC
EAS（雪崩能量）：475mJ
fT（截止频率）：2.2MHz
结温范围：-55℃ to 175℃
RGS80TSX2DHRC11 的主要特点是其低导通电阻 Rds(on)，这能够显著降低传导损耗并提高整体系统效率。
其次，其较高的 Id（连续漏极电流）允许更大的负载能力，从而适合需要处理高电流的应用。
此外，该芯片还具有良好的热性能，能够在较宽的温度范围内稳定运行。
同时，它的封装形式 TO-263 提供了优良的散热路径，便于集成到复杂电路中。
最后，该 MOSFET 的快速开关速度和较低的栅极电荷 Qg 确保了高效的高频操作。
这款功率 MOSFET 主要应用于多种高效能电力转换场合，包括但不限于 DC-DC 转换器、电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动车牵引逆变器以及工业自动化设备中的电源管理系统。
由于其高耐压和大电流承载能力，也常用于汽车电子领域的负载切换和电池管理系统。
此外，在消费电子产品如笔记本电脑适配器和家用电器的电源部分也有广泛应用。
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