时间：2025/8/12 21:11:57
阅读：15
RGR6200是一款由ROHM（罗姆）公司推出的N沟道功率MOSFET，采用高性能硅技术制造，适用于需要高效能和高可靠性的应用场合。该器件设计用于在高频率下工作，具有低导通电阻和高电流能力，使其在电源管理和功率转换系统中表现优异。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：20V
漏极-栅极电压（Vdg）：20V
源极-栅极电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：6.0A
漏极功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TSMT6
RGR6200 MOSFET具备多项优异特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保在导通状态下损耗最小，提高整体系统效率。其次，该器件支持高电流操作，连续漏极电流可达6A，适合需要高功率密度的设计。
此外，RGR6200采用先进的封装技术，提供良好的热管理能力，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。其封装形式为TSMT6，尺寸紧凑，适合高密度PCB布局。
在可靠性方面，RGR6200的工作温度范围为-55°C至150°C，适应各种严苛环境条件。同时，其栅极驱动电压范围宽，支持与多种驱动电路兼容，提高了设计的灵活性。
RGR6200广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达驱动器以及电池供电设备。由于其高效能和小尺寸封装，特别适合便携式电子产品、通信设备和工业控制系统中的功率开关应用。
Si2302DS, AO3400A, FDS6675, NTD14N02LT4G
