RGQ2501AGQW2 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率转换芯片,主要用于高频开关电源、DC-DC转换器和快速充电器等应用。该芯片采用先进的封装工艺,能够显著提高功率密度并降低系统损耗,适用于消费电子、工业设备以及通信电源等领域。
这款芯片集成了驱动器和保护电路,具有出色的热性能和可靠性,同时支持高达2MHz的工作频率,从而允许使用更小尺寸的电感和电容元件。
型号:RGQ2501AGQW2
类型:GaN 功率晶体管
工作电压:100V
导通电阻:7mΩ
最大电流:20A
开关频率:2MHz
封装形式:QFN4x4
工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
RGQ2501AGQW2 提供了极低的导通电阻和栅极电荷,确保高效的功率转换。其高频性能使得磁性元件得以小型化,进一步优化了系统的整体尺寸和重量。此外,该芯片具备完善的保护功能,包括过温保护、短路保护和过流限制,确保在异常条件下仍能保持安全运行。
由于采用了GaN材料,该芯片在高频下表现出卓越的开关特性,并且具有更快的开关速度和更低的开关损耗,非常适合需要高效能量转换的应用场景。
RGQ2501AGQW2 广泛应用于多种领域,包括但不限于:
1. USB PD 快速充电器
2. 高频 AC-DC 和 DC-DC 转换器
3. LED 驱动电源
4. 工业电机驱动控制
5. 消费类电子产品的适配器
6. 通信基站中的高效电源模块
其高频特性和高效率使其成为现代紧凑型电源设计的理想选择。
RGQ2501BGQW2
RGQ2502AGQW2
RGQ2601AGQW2