RGP50K 是一种高压、高灵敏度的光电耦合器,广泛应用于工业控制、通信设备以及电源管理等领域。该器件由一个 GaAs 红外发光二极管(LED)和一个光敏晶体管组成,能够在电气隔离的前提下实现信号传输。
RGP50K 的设计使其能够承受较高的电压隔离,并提供稳定的电流传输比(CTR),确保在各种工作条件下都能保持可靠的性能。其紧凑的封装形式适合需要高密度布局的应用场景。
集电极-发射极耐压:700V
正向电流(IF):20mA
正向电压(VF):1.2V
电流传输比(CTR):100%~300%
上升时间:2μs
下降时间:2μs
工作温度范围:-40℃~+110℃
存储温度范围:-55℃~+150℃
封装形式:DIP-4
RGP50K 的主要特性包括:
1. 高达 700V 的隔离电压,适用于高压环境下的信号传输。
2. 稳定的电流传输比(CTR),即使在不同温度或老化情况下也能保证一致性。
3. 快速的开关速度(上升/下降时间均为 2μs),适合高速应用。
4. 宽广的工作温度范围(-40℃ 至 +110℃),适应恶劣环境。
5. 小型化的 DIP-4 封装,节省 PCB 空间。
6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电路设计中。
这些特性使 RGP50K 成为一种理想的光电耦合器选择,尤其适用于需要高可靠性和电气隔离的应用场合。
RGP50K 广泛用于以下领域:
1. 工业自动化中的信号隔离与传输。
2. 通信设备中的数据隔离模块。
3. 开关电源及逆变器的驱动电路。
4. 医疗设备中的安全隔离。
5. 测量仪器中的模拟信号隔离。
6. 消费类电子产品的噪声抑制和电气隔离。
由于其高压隔离能力及稳定性,RGP50K 在涉及高电压或强电磁干扰的环境中表现尤为突出。
TLP521-4, HCPL-2631, PS2501-4