时间：2025/8/14 1:40:49
阅读：4
RGP15M 是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高频率开关应用而设计。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于多种功率转换系统，如电源适配器、DC-DC 转换器、电机驱动器和负载开关等。RGP15M 是 N 沟道增强型 MOSFET，采用 TO-252（DPAK）封装形式，具备良好的散热能力和可靠性。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：150V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：15A
导通电阻（Rds(on)）：最大55mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
RGP15M 的核心优势在于其低导通电阻和高电流承载能力，这使得它在高效率电源系统中表现优异。其导通电阻最大为 55mΩ，在 10V 栅极驱动电压下能够显著降低导通损耗，从而提高整体能效。此外，该器件的封装设计具备良好的散热性能，能够在高功率密度应用中维持较低的工作温度。
RGP15M 还具有优异的雪崩能量承受能力，增强了器件在极端工况下的稳定性和可靠性。其栅极驱动电压范围为 ±20V，兼容多种常见的驱动电路，适用于高频开关应用。此外，该 MOSFET 具有较低的输入电容（Ciss）和反馈电容（Crss），有助于减少开关损耗并提升动态响应性能。
在工艺技术方面，RGP15M 采用先进的沟槽式结构设计，提高了芯片的电流密度和热稳定性。这种结构也降低了寄生电感和电阻，从而进一步优化了器件的开关性能。同时，其封装材料符合 RoHS 标准，具备良好的环保性能。
RGP15M 主要用于中高功率的开关电源系统中，如 AC-DC 电源适配器、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器和电池管理系统等。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于需要高效能和高可靠性的应用场景。
在电源适配器和充电器设计中，RGP15M 可作为主开关器件，显著降低导通损耗，提高转换效率。在 DC-DC 转换器中，该器件适用于高边和低边开关应用，尤其在同步整流拓扑中表现出色。此外，RGP15M 也可用于工业自动化设备中的电机控制和负载开关电路，提供稳定可靠的功率控制能力。
由于其良好的热性能和高可靠性，RGP15M 还广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统等。在这些严苛的工作环境中，RGP15M 能够保持稳定运行并延长系统寿命。
SiHF15N150E, FQA15N150, IRFP460
