RGP10MA 时间：2025/8/13 21:03:09 阅读：6

RGP10MA 是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的功率MOSFET器件，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件专为高功率应用设计，具有较低的导通电阻和较高的开关性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及工业自动化设备等多种场景。RGP10MA 采用高密度沟槽技术，提供更高的效率和可靠性，并支持高频率操作，有助于减小外围元件的尺寸，提高整体系统效率。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：100V
　　最大漏极电流(ID)：10A（连续）
　　导通电阻(RDS(on))：最大值0.45Ω @ VGS=10V
　　栅极阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 4.0V
　　最大功耗(PD)：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

RGP10MA 采用先进的沟槽式MOSFET技术，具备优异的导通和开关性能。其低导通电阻（RDS(on)）特性使其在导通状态下损耗极低，有助于提高整体系统效率并减少发热。该器件支持高达10A的连续漏极电流，适用于中高功率应用场景。
　　此外，RGP10MA 的栅极阈值电压范围适中（2.0V ~ 4.0V），兼容多种驱动电路，便于集成到不同类型的功率管理系统中。其100W的最大功耗和TO-220封装形式提供了良好的散热能力，确保在高负载条件下仍能稳定运行。
　　该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力和过热保护性能，能够在严苛环境下保持高可靠性。由于其高耐压能力（100V）和良好的开关速度，RGP10MA 特别适合用于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器以及工业控制电路等应用中。