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RGP10G 发布时间 时间:2025/7/5 2:56:30 查看 阅读:3

RGP10G是一种基于碳化硅(SiC)技术的肖特基二极管,专为高频和高效应用设计。该器件具有低正向电压降和快速恢复时间的特点,能够在高频开关条件下保持较低的功耗和较高的效率。RGP10G广泛应用于电源转换、太阳能逆变器、电动车充电设备等领域。

参数

额定电压:1200V
  额定电流:10A
  正向电压降(Vf):1.4V(典型值)
  反向恢复时间(trr):50ns
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247

特性

RGP10G采用了先进的碳化硅材料,相比传统硅基二极管,其具备更低的导通损耗和更高的热稳定性。由于其快速恢复时间和低反向漏电流,使得它非常适合在高频功率转换电路中使用。
  RGP10G还拥有出色的高温性能,在高达175℃的工作环境下仍能保持稳定运行,这对于需要高可靠性的工业和汽车应用至关重要。
  此外,该器件具有较高的浪涌电流能力,能够承受短暂的过载情况而不损坏,增强了系统的整体可靠性。

应用

RGP10G适用于多种高频高效场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的整流和箝位功能
  2. 太阳能逆变器中的直流到交流转换
  3. 电动车充电桩的功率模块
  4. 工业电机驱动器中的保护电路
  5. 不间断电源(UPS)系统中的能量管理

替代型号

RGP10H, RGP15G

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RGP10G参数

  • 标准包装5,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)400V
  • 电流 - 平均整流 (Io)1A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.3V @ 1A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)150ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电5µA @ 400V
  • 电容@ Vr, F15pF @ 4V,1MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳DO-204AL,DO-41,轴向
  • 供应商设备封装DO-41
  • 包装带卷 (TR)