RGEF250 时间：2025/12/25 8:49:32 阅读：16

RGEF250 是一款由 ROHM（罗姆）半导体公司推出的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高功率应用设计。该器件具备低导通电阻（Rds(on)）和高耐压特性，适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备等应用场景。RGEF250 采用 HUH5 封装形式，具备良好的热管理和高可靠性。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：250 V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20 V
　　连续漏极电流（Id）：10 A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 0.22 Ω @ Vgs = 10 V
　　功率耗散（Pd）：50 W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：HUH5

特性

RGEF250 具备一系列出色的电气和热性能，适用于中高功率的应用场景。首先，其 250 V 的漏极-源极电压额定值使其适用于多种高压系统，如 AC/DC 电源转换器、DC/DC 转换器以及马达控制模块。其次，RGEF250 的低导通电阻（Rds(on) 最大为 0.22 Ω）显著降低了导通损耗，提高了系统效率，尤其适用于需要高频开关的应用。此外，该器件的连续漏极电流能力为 10 A，能够支持较大的负载需求，适用于中小型功率的电机驱动和电源管理应用。
　　RGEF250 的栅极-源极电压额定值为 ±20 V，具有良好的栅极驱动兼容性，能够与多种控制器和驱动 IC 配合使用。其封装形式采用 ROHM 的 HUH5 封装，具有优异的热管理性能，能够在高温环境下稳定工作，提升系统的可靠性。
　　该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应各种恶劣的环境条件，适用于工业控制、自动化设备、智能家电和新能源汽车等领域的电源系统设计。此外，RGEF250 还具备良好的短路耐受能力，增强了其在突发故障情况下的安全性。

应用

RGEF250 广泛应用于多种电力电子系统中。在电源管理领域，它常用于 AC/DC 和 DC/DC 转换器中作为主开关器件，提升转换效率并减少发热。在电机控制方面，RGEF250 被用于 H 桥驱动电路中，驱动中小型电机实现正反转控制，适用于机器人、电动工具和自动化设备。此外，在电池管理系统中，该器件用于电池充放电回路的控制，保障电池组的安全运行。
　　由于其高耐压特性和良好的热管理性能，RGEF250 也适用于光伏逆变器、LED 照明驱动器以及工业自动化设备中的开关电源模块。在新能源汽车领域，该器件可用于车载充电器、电池管理系统和电动助力转向系统中，提升系统的整体能效和稳定性。