时间：2025/7/17 20:21:35
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RGA80TSX2EHR 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的功率MOSFET晶体管，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件专为高效率、高频率和大电流应用设计，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及工业自动化设备中。这款MOSFET采用高性能的硅工艺制造，具备低导通电阻和优异的热性能，适用于在严苛环境中运行。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS)：80V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：160A（Tc=25℃）
导通电阻(RDS(on))：最大值3.7mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：双排散热封装Housing Type: TSX2-EHR
RGA80TSX2EHR MOSFET采用了先进的沟槽式技术，以实现非常低的导通电阻（RDS(on)），从而减少传导损耗并提高系统效率。
其独特的结构设计提供了优良的热管理和散热能力，确保在高负载条件下仍能保持稳定的工作状态。
该器件支持高频开关操作，非常适合用于需要快速切换的应用场景，如同步整流、电池充电系统和高效电源供应器。
RGA80TSX2EHR具有良好的抗雪崩能力和过载保护特性，增强了器件在复杂电路环境中的可靠性与耐用性。
此外，它还符合RoHS环保标准，不含任何有害物质，满足现代电子产品的环保要求。
RGA80TSX2EHR常被应用于各种电力电子设备中，包括但不限于：
高效的DC-DC降压/升压转换器
不间断电源(UPS)系统
电动车辆(EV)及混合动力汽车(HEV)的电力控制系统
太阳能逆变器和储能系统
工业用伺服电机驱动器
大功率LED照明驱动电路
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RGA80TSX2EHR的替代型号包括SiS828DN、IRFP4110PBF、FDMS86180
