型号：RG82852GME
　　制造商：润杰富（RJF）
　　封装类型：QFN-40L
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　输入电压范围：2.7V 至 5.5V
　　输出通道数：4路DC-DC + 2路LDO
　　DC-DC1类型：同步降压（Buck），最大输出电流1.2A
　　DC-DC2类型：同步降压，最大输出电流1.0A
　　DC-DC3类型：升压/降压（Buck-Boost），最大输出电流600mA
　　DC-DC4类型：反相降压-升压（Inverting Buck-Boost），最大输出电流400mA
　　LDO1输出电流：300mA，压差典型值200mV@100mA
　　LDO2输出电流：150mA，噪声低于30μVrms
　　开关频率：1.8MHz（可调）
　　静态电流：典型值28μA（所有通道待机）
　　关机电流：<1μA
　　保护功能：过压保护（OVP）、过流保护（OCP）、热关断（OTP）
　　控制接口：I2C/SPI兼容，支持主从模式
　　可编程输出电压范围：0.8V 至 3.6V（步进10mV）
　　精度：±2%（全负载与温度范围内）

RG82852GME具备高度集成的电源管理架构，内部整合了四路DC-DC转换器和两路低压差线性稳压器，能够满足多电压域系统的供电需求。其中，前两路为高效同步整流降压转换器，采用恒定导通时间（COT）控制模式，实现快速瞬态响应和优异的负载调整率；第三路支持升降压操作，可在输入电压波动较大时维持稳定的输出电压，特别适用于使用单节锂电池供电且系统电压需保持恒定的应用场景；第四路为反相拓扑结构，可用于生成负电源轨，为运放、传感器或其他需要负偏置的模拟电路供电。所有DC-DC均内置功率MOSFET，无需外置肖特基二极管，简化设计并提升效率。两路LDO具备超低噪声和高电源抑制比（PSRR），尤其适合为敏感的模拟模块（如ADC、DAC、RF收发器）提供干净电源。芯片支持通过I2C或SPI接口对各通道的输出电压、使能时序、工作模式进行编程配置，并可读取实时运行状态和故障标志位，便于系统调试与监控。
　　该器件内置完善的保护机制，包括逐周期限流、输出短路保护、输入欠压锁定（UVLO）、输出过压保护以及芯片级热关断功能，确保在异常工况下安全运行。其工作频率高达1.8MHz，允许使用小型陶瓷电感和电容，进一步减小外部元件体积。动态电压调节（DVS）功能支持根据处理器负载动态调整核心电压，实现精细化功耗管理。在轻载条件下，DC-DC可自动进入脉冲跳跃模式（PSM），显著降低静态功耗，提高轻载效率。此外，RG82852GME具备可配置的上电/掉电时序控制，支持多电源轨按顺序启动与关闭，避免因电压爬升不一致导致的闩锁风险。整体设计注重EMI抑制，通过扩频调制和优化的引脚布局减少电磁干扰，满足工业级EMC要求。

RG82852GME广泛应用于对空间、能效和可靠性要求较高的嵌入式系统中。典型应用场景包括工业自动化控制器、PLC模块、智能电表、无线传感节点、便携式医疗设备（如血糖仪、血压计）、车载娱乐系统、智能家居网关以及基于ARM Cortex-M系列或RISC-V架构的微控制器单元（MCU）供电方案。在物联网边缘计算设备中，该芯片可为Wi-Fi/BLE/Zigbee无线模块、传感器阵列、显示屏背光驱动和主控芯片提供多组独立且稳定的电源轨。其宽输入电压适应能力和低静态电流特性使其非常适合由电池或能量采集装置供电的远程监测设备。在消费类电子产品中，如TWS耳机充电仓、便携式音频播放器和智能穿戴设备，RG82852GME能够有效延长续航时间并节省PCB空间。此外，得益于其可编程性和丰富的保护功能，该芯片也被用于研发原型板和评估套件中，作为通用型多路电源解决方案。对于需要负电压输出的精密测量仪器或信号调理电路，其集成的反相DC-DC提供了便捷的负压生成途径，避免额外增加专用负压芯片。整体而言，RG82852GME凭借其高集成度、灵活性和稳定性，成为中高端嵌入式电源设计的理想选择之一。

RTQ2135
　　SGM2022
　　MP2018
　　APW7205