RFUV1703TR7 时间：2025/8/15 20:31:02 阅读：30

RFUV1703TR7 是一款由 RFMD（现为 Qorvo）生产的射频功率晶体管，采用 GaN（氮化镓）技术制造，专为高功率射频放大应用设计。该器件适用于无线基础设施、基站、军事通信、雷达以及工业和科学设备中的高效能放大器。RFUV1703TR7 提供了在高频段（如 UHF、L 波段和 S 波段）下的高功率输出、高效率和良好的热稳定性。

参数

工作频率：1700 - 2200 MHz
　　输出功率：300 W (典型值)
　　增益：22 dB (典型值)
　　效率：65% (典型值)
　　漏极电压：50 V
　　封装类型：表面贴装陶瓷封装
　　输入/输出阻抗：50Ω
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

RFUV1703TR7 的核心优势在于其 GaN 技术所带来的高性能表现。该器件能够在较高的频率下提供高达 300W 的连续波（CW）输出功率，适用于高要求的无线通信和雷达系统。GaN 材料的高击穿电压特性使得该晶体管在高压和高温环境下依然具有出色的稳定性和可靠性。
　　其典型增益为 22dB，使得它能够在较少的驱动功率下实现高效的输出放大。此外，该器件具有高效率（典型值为 65%），有助于减少系统功耗并提高整体能效，从而降低散热需求并简化电源设计。
　　 RFUV1703TR7 采用表面贴装陶瓷封装，便于高密度 PCB 设计，并提供良好的热管理和射频性能。该封装支持良好的散热路径，确保器件在高功率运行下的长期稳定性。
　　工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，使其适用于各种恶劣环境条件下的工业和军事应用。该晶体管还具有良好的线性度和抗失真能力，适用于需要高信号完整性的数字通信系统。

应用

RFUV1703TR7 被广泛应用于无线通信基础设施，如 LTE 和 5G 基站中的高功率射频放大器。此外，它也适用于雷达系统、电子战设备、测试测量仪器、医疗成像设备以及工业加热和等离子体生成系统。在广播系统中，该器件可用于高功率发射器的末级放大。其高效率和高稳定性也使其成为航空航天和国防领域中关键通信系统的重要组件。