RFUV1702 时间：2025/8/15 12:21:36 阅读：14

RFUV1702是一款由Renesas（瑞萨）公司推出的射频（RF）功率晶体管，专为高功率射频放大器应用设计。该器件基于先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术制造，具备高效率、高线性度和优异的热稳定性，适用于无线通信基站、广播系统、雷达和工业设备中的高功率射频放大需求。

参数

类型：LDMOS RF功率晶体管
　　工作频率范围：1.8 GHz至2.7 GHz
　　输出功率：典型值为1700 W（脉冲模式下）
　　漏极电压：最大65 V
　　工作模式：AB类
　　封装形式：气密封陶瓷封装（Ceramic Flanged Package）
　　输入阻抗：50Ω（典型值）
　　输出阻抗：50Ω（典型值）
　　增益：典型值为25 dB
　　效率：典型值为50%以上
　　热阻：典型值小于0.1°C/W
　　工作温度范围：-65°C至+150°C

特性

RFUV1702采用了Renesas先进的LDMOS技术，具有出色的射频性能和可靠性。其高输出功率能力使其适用于高功率通信系统中的主放大器。该器件在1.8 GHz至2.7 GHz的频率范围内表现出优异的增益和效率，适用于多种无线通信标准，如LTE、5G和WiMAX。
　　在效率方面，RFUV1702能够在高功率输出下保持较低的功耗，有助于提高系统整体能效并降低散热需求。其高线性度特性也使其适用于需要高信号保真度的应用，如多载波放大器系统。
　　该晶体管的封装设计具有良好的热传导性能，结合低热阻参数，能够有效散发工作时产生的热量，确保器件在高负载条件下的稳定运行。此外，其气密封陶瓷封装也增强了器件在恶劣环境下的耐用性和可靠性。
　　RFUV1702还具备良好的输入和输出匹配性能，简化了外围电路设计，降低了设计复杂度。它通常与驱动级放大器配合使用，构成多级射频功率放大系统。

应用

RFUV1702广泛应用于各类高功率射频系统中，包括蜂窝通信基站（如4G LTE和5G NR基站）、广播发射机、雷达系统、测试设备、工业加热设备以及射频能量应用。由于其宽频带特性和高输出功率，特别适合需要在1.8 GHz至2.7 GHz频段内实现高效率、高线性度放大的系统设计。
　　此外，该器件也适用于宽带通信系统中的多频段操作，支持多种无线通信标准，满足现代通信系统对高数据速率和高可靠性的要求。