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RFUS20NS4STL 发布时间 时间:2025/11/8 7:52:14 查看 阅读:9

RFUS20NS4STL是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的超快软恢复二极管,专为高效率电源转换应用设计。该器件采用先进的平面硅技术制造,具有优异的开关性能和可靠性,适用于需要快速反向恢复时间和低正向电压降的应用场景。RFUS20NS4STL属于超快恢复整流二极管系列,其反向重复峰值电压(VRRM)高达400V,正向平均电流(IF(AV))在理想散热条件下可达2x10A,适合用于桥式整流、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)以及其他高频电力电子系统中。该器件封装形式为TO-220F,具备良好的热传导性能,能够有效将内部产生的热量传递至外部散热器,从而提升整体系统的稳定性和寿命。此外,RFUS20NS4STL符合RoHS环保标准,并具备高浪涌电流承受能力,能够在瞬态过载条件下保持可靠运行。由于其双共阴极配置结构,该二极管特别适用于全波整流电路,有助于减少元件数量并优化PCB布局。

参数

型号:RFUS20NS4STL
  制造商:STMicroelectronics
  二极管类型:超快软恢复整流二极管
  配置:双共阴极
  最大反向重复峰值电压 VRRM:400V
  最大直流阻断电压 VR:400V
  最大均方根电压 VRMS:280V
  最大正向平均电流 IF(AV):2x10A(单个芯片)
  峰值非重复浪涌电流 IFSM:2x150A(t=8.3ms, 半正弦波)
  最大正向电压降 VF:1.65V(典型值 @ IF = 10A, Tj = 125°C)
  最大反向漏电流 IR:2.0μA(典型值 @ VR = 400V, Tj = 25°C),最高可达100μA @ Tj = 150°C
  反向恢复时间 trr:35ns(典型值 @ IR = 0.5A, dI/dt = 100A/μs)
  软度因子 SF:≥0.7(确保软恢复特性,降低EMI)
  工作结温范围 Tj:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围 Tstg:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-220F(绝缘型)
  安装方式:通孔(Through-Hole)
  热阻 Rth(j-c):2.5°C/W(每个芯片)
  极性标记:阴极为第一引脚识别标志

特性

RFUS20NS4STL的核心优势在于其超快且软恢复的开关特性,这使其在高频开关电源环境中表现出色。传统的整流二极管在关断过程中会产生显著的反向恢复电流尖峰,导致较大的开关损耗和电磁干扰(EMI)。而RFUS20NS4STL通过优化PN结结构和载流子寿命控制技术,实现了极短的反向恢复时间(trr ≤ 35ns),同时保持了“软恢复”行为,即在反向恢复过程中电流下降平缓,避免了陡峭的电流变化率(di/dt),从而有效抑制了电压振铃和EMI噪声。这种特性对于提高电源系统的效率、降低滤波器成本以及满足EMC认证要求至关重要。
  该器件采用双共阴极拓扑结构,集成了两个独立但共享同一阴极连接的超快二极管芯片,非常适合用于全波整流或中心抽头变压器整流电路中。相比使用两个分立二极管,集成方案不仅节省了PCB空间,还提高了装配效率和系统可靠性。此外,TO-220F封装提供了优良的电气隔离性能和热传导路径,允许直接安装在散热片上以实现高效散热,确保在高负载工况下仍能维持稳定的电参数表现。
  RFUS20NS4STL具有出色的热稳定性与长期可靠性,在宽温度范围内(-55°C至+150°C)均可正常工作,适用于工业级和汽车级应用环境。其低正向导通压降(VF ≈ 1.65V @ 10A, 125°C)减少了导通损耗,提升了整体能效。同时,高达2x150A的非重复浪涌电流能力使其能够耐受开机瞬间的大电流冲击,增强了系统鲁棒性。该器件还具备较低的结电容和寄生电感,有利于高频操作下的动态响应。综上所述,RFUS20NS4STL是一款高性能、高可靠性的功率整流解决方案,广泛应用于现代高效节能电源系统中。

应用

RFUS20NS4STL因其优异的高频整流性能和高可靠性,被广泛应用于多种电力电子设备中。它常用于开关模式电源(SMPS)中的输出整流级,特别是在服务器电源、通信电源、工业电源等对效率和EMI有严格要求的场合。在DC-DC转换器中,该器件可用作续流二极管或同步整流辅助二极管,帮助提升轻载和满载效率。此外,它也适用于AC-DC适配器、充电器、LED驱动电源以及光伏逆变器等新能源领域产品中,作为主整流桥或次级侧整流元件。由于其具备高浪涌电流承受能力和良好的热稳定性,RFUS20NS4STL同样适合用于电机驱动、UPS不间断电源、家电变频器等工业与消费类电子产品中。在汽车电子方面,尽管并非AEC-Q101认证器件,但在部分车载电源模块中也有应用实例,尤其是在非安全关键型辅助电源系统中。其双共阴极结构特别适合用于全波整流电路,可简化电路设计并减少元件数量,提升系统集成度。因此,无论是在紧凑型消费电子设备还是高功率工业装置中,RFUS20NS4STL都能提供稳定高效的整流功能。

替代型号

RFVS20NS4S
  STTH2R04
  BYV27E-400

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RFUS20NS4STL参数

  • 特色产品Fast Recovery Diodes
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)430V
  • 电流 - 平均整流 (Io)20A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)-
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电-
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装LPDS
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称RFUS20NS4STLDKR