时间：2025/11/8 0:57:01
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RFUH30TS6D是一款由罗姆（ROHM）半导体公司推出的高效率、高性能的SiC（碳化硅）肖特基势垒二极管（SBD），专为满足现代电力电子系统对高效能、高可靠性以及小型化的需求而设计。该器件采用先进的沟槽栅结构碳化硅技术，具备卓越的开关特性与热稳定性，适用于高频率、高温及高功率密度的应用场景。RFUH30TS6D的额定电压为650V，平均正向电流为3A，采用紧凑型表面贴装封装（如TO-252-2或类似形式），便于在有限空间内实现高效散热和高密度布局。该产品广泛应用于服务器电源、通信电源、光伏逆变器、工业电机驱动以及电动汽车充电系统等高端电力转换设备中。得益于碳化硅材料本身的低反向恢复电荷（Qrr）和几乎无反向恢复电流的特性，RFUH30TS6D能够显著降低开关损耗，提高系统整体效率，并减少电磁干扰（EMI），从而简化滤波电路设计。此外，其出色的热导率和高温工作能力使得该器件可在高达175°C的结温下稳定运行，增强了系统的环境适应性与长期可靠性。
型号：RFUH30TS6D
类型：碳化硅肖特基二极管
额定电压（VRRM）：650V
平均正向电流（IF(AV)）：3A
峰值浪涌电流（IFSM）：50A
正向压降（VF）：1.45V（典型值，@ IF=3A, TJ=25°C）
反向漏电流（IR）：10μA（最大值，@ VR=650V, TJ=25°C）
反向恢复电荷（Qrr）：≈0C（无反向恢复特性）
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-252-2（DPAK）
极性：单芯片二极管
安装方式：表面贴装（SMD）
RFUH30TS6D的核心优势在于其基于碳化硅材料的物理特性所带来的多项性能突破。首先，该器件具有极低的正向导通压降与零反向恢复电荷，这意味着在高频开关过程中不会产生传统硅基PN结二极管所伴随的反向恢复电流尖峰，从而大幅降低了开关过程中的能量损耗。这一特性对于提升电源转换效率至关重要，尤其是在连续导通模式（CCM）的PFC（功率因数校正）电路中表现尤为突出。其次，碳化硅材料拥有比硅更高的临界击穿电场强度和热导率，使RFUH30TS6D能够在更高电压等级和更高温度环境下可靠运行，同时有效传导热量，避免局部热点积累导致的失效风险。
此外，该器件具备优异的动态响应能力和抗浪涌能力，可承受短时大电流冲击而不发生永久性损坏，提升了系统在异常工况下的鲁棒性。其沟槽栅结构优化了电场分布，进一步提高了耐压稳定性并减少了漏电流，确保在高温高湿等恶劣环境中仍能保持良好的绝缘性能和长期可靠性。由于没有少数载流子存储效应，RFUH30TS6D在关断时不会出现拖尾电流现象，极大地抑制了电磁噪声的产生，有助于满足严格的EMI标准要求，减少外围滤波元件的数量和成本。这些综合特性使其成为替代传统硅快恢复二极管的理想选择，在追求小型化、高效化和长寿命的现代电力电子系统中占据关键地位。
RFUH30TS6D主要应用于各类需要高效、高频整流功能的电力电子系统中。在通信电源与服务器电源领域，它常用于PFC升压级中的续流二极管，利用其低Qrr和低VF特性来提升整体能效，满足80 PLUS钛金等超高效率认证的要求。在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于DC-DC变换级或逆变桥臂中的辅助整流路径，帮助提高系统MPPT效率并降低热管理复杂度。在工业电源与电机驱动器中，RFUH30TS6D适用于高频开关电源模块、焊接设备以及UPS不间断电源系统，提供快速响应和稳定的电压钳位功能。此外，在电动汽车车载充电机（OBC）和直流充电桩的辅助电源部分，该二极管也发挥着重要作用，支持宽输入电压范围和高温运行需求。其表面贴装封装形式还特别适合自动化生产流程，有利于提高制造效率和产品一致性。总之，凡是需要高效率、高频率、高可靠性的整流场合，RFUH30TS6D都是一种极具竞争力的技术解决方案。
RFVS30TS6D
RUM003N05T2R
STTH3R06
